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Yole:中國大陸儲存晶片廠商極大地推動了本土封測廠的繁榮

Yole 最近的研究報告指出,中國大陸市場儲存晶片的崛起、倒裝晶片 DRAM 和 3D 堆疊技術的發展,將會給本土封裝廠商帶來重大利好。

資料顯示,從市場份額來看,2020 年到 2026 年,整體儲存封裝市場將以 7% 的複合年增長率增長,至 2026 年將達到 198 億美元。

DRAM 封裝將是 2026 年最重要的儲存封裝領域,屆時將佔有 70% 的市場份額

從長遠來看,NAND 和 DRAM 封裝收入在 2020 年到 2026 年之間的複合年增長率顯著,分別為 4% 和 9%。

從技術層面看,Wirebond(引線鍵合)之後,倒裝晶片將在 2026 年佔據儲存封裝市場的最大份額,為 34%,主要用於 DRAM 封裝。

預計標準晶圓級晶片級封裝(WLCSP)的收入將在 2020-2026 年以 14% 的複合年增長率增長,但到 2026 年,就價值而言,其市場份額將僅佔約 1%。

2026 年,Wirebond 分立式和多晶片將主導儲存封裝市場,其次是倒裝晶片。Wirebond 是 NAND 和移動 DRAM 最常見的封裝技術。

隨著摩爾定律的持續放緩和新的先進封裝技術的興起,後端處理變得越來越重要。

從供應鏈上看,2020 年,大約 68% 的儲存封裝收入來自 IDM 玩家。剩下的 32% 則由 OSAT 產生。

中國大陸的儲存封裝是 OSAT 廠商的關鍵商機。

中國大陸崛起的儲存製造商長江儲存 (NAND) 和長鑫儲存 (DRAM) 將所有封裝外包給 OSAT 廠商。

▲2020-2026 年儲存封裝市場收入分類:IDM vs OSAT

其中橙色代表 IDM,黃色代表為非中國大陸 IDM 廠商做封裝的 OSAT 廠商,綠色代表為中國大陸 IDM 廠商做封裝的 OSAT 廠商

“在以資料為中心的現代社會中,儲存是一個關鍵市場,受到移動端、雲端計算、人工智慧和物聯網等重要大趨勢的推動”,來自 Yole 的分析師 Simone Bertolazzi 斷言。“所有這些都在推動所謂的‘資料生成爆炸’,並正在塑造未來幾年儲存需求的強勁增長”。

NAND 和 DRAM 是主力儲存技術,合計佔整體獨立儲存市場收入的約 96%。

Yole 半導體和軟體部門 NAND 和儲存器研究副總裁 Walt Coon 解釋說,“在 2020 年到 2026 年,NAND 和 DRAM 收入預計將分別以 9% 和 15% 的複合年增長率增長,到 2026 年分別達到 930 億美元和 1550 億美元。”

儲存封裝市場遵循與獨立儲存市場相同的趨勢,因此將受益於儲存需求的強勁長期增長以及持續的晶圓廠產能擴張。

Simone Bertolazzi 評論道:“我們預計用於儲存晶片的晶圓總量將從 2020 年的 3550 萬片增長到 2026 年的 5000 萬片,2020 年至 2026 年間的複合年增長率為 6%,而同一時期儲存封裝的數量複合年增長率為 5%。”

2020 年整體儲存封裝市場規模為 131 億美元,相當於獨立儲存市場的 10% 左右。

Yole 半導體和軟體部門 DRAM 和儲存研究副總裁 Mike Howard 補充道:“就封裝收入而言,DRAM 是 2020 年領先的儲存技術,佔有 63% 的份額,而引線鍵合是主要的封裝方法, 主要用於移動應用程式。”

▲2020-2026 年儲存封裝市場收入變化

與獨立儲存市場價格波動較大的特點不同,儲存封裝市場較為穩定,因為大部分業務是在 IDM 廠商內部進行的。Yole 估計,2020 年大約 68% 的儲存封裝收入來自 IDM 廠商,其餘 32% 來自 OSAT 廠家。

中國大陸 OSAT 廠商迎來新機遇

中國大陸崛起的儲存 IDM 廠商,長江儲存和長鑫儲存,分別正在迅速增加其 NAND 和 DRAM 晶圓的產量。這兩家公司沒有完善的內部封裝能力,必須將所有封裝外包給 OSAT 廠商。這對 OSAT 廠商來說是一個獨特的商機,尤其是對那些在中國大陸的 OSAT 廠商。

根據 Yole 關於儲存封裝的報告,來自中國大陸大陸本土的儲存供應商對 OSAT 廠商的收入貢獻可以從 2020 年的不到 1 億美元增長到 2026 年的約 11 億美元。這相當於 2020 年至 2026 年的複合年增長率為 55%。

中國大陸的 OSAT 廠商將首先受益於這個機會。中國大陸 OSAT 領域的三個主要玩家長電科技、通富微電和華天科技正準備加入競爭。

▲儲存封裝方法從引線框架演變為基於 TSV 和混合鍵合的高階封裝

還需要注意的是,目前有兩個相反的趨勢正在影響儲存封裝業務:一方面,中國大陸儲存產量的增加正在推動 OSAT 收入的增長;另一方面,IDM 正在增加其內部後端能力,特別是對於高階封裝工藝,以減少對 OSAT 的外包。(校對/隱德萊希)