據業內人士透露，主要 NAND 晶片供應商將在 2021 年第四季度提高 176 層 3D NAND 晶片產量，這可能會在明年上半年帶來供應方面的變數。

據《電子時報》援引訊息人士稱，美光科技率先將其 176 層 3D NAND 快閃記憶體製造工藝轉向量產，SK 海力士緊隨其後，在第四季度開始量產。

三星電子也將在平澤第 3 工廠（P3）安裝新的 3D NAND 晶片生產線，以提高 176 層 3D NAND 晶片產量，屆時將擁有 4 萬-5 萬片的月產能。

該人士認為，明年手機和消費者 SSD 將越來越多地採用 176 層 3D NAND 快閃記憶體。到 2022 年底，超過 25% 的 NAND 快閃記憶體位供應將是 176 層 3D NAND 快閃記憶體晶片，高於 2021 年第四季度的近 5%。

此外，該訊息人士指出，自第四季度以來，電源管理 IC 和快閃記憶體裝置控制器晶片的短缺情況一直在改善，這鼓勵 NAND 快閃記憶體晶片製造商擴大產量。預計到 2022 年上半年，NAND 快閃記憶體的供應將超過需求。

不過，因主要 NAND 快閃記憶體晶片製造商仍對產能擴張持謹慎態度，該行業明年的整體供應增幅將略高於 30%，略高於需求增長。三星和 SK 海力士今年的位供應量增幅都將超過整體位供應量增幅，預計在 37%-39%。