4 月 25 日訊息，據國外媒體報道，此前有報道稱，三星電子 2020 年年中開始在韓國平澤建設的 P3 晶圓廠，將在下月開始裝置的安裝，裝置的進入和安裝將繼續到 7 月份，這一晶圓廠計劃在今年下半年全部建成。

而在報道 P3 晶圓廠將在下月開始裝置的安裝時，外媒還表示，在建設 P3 晶圓廠後，預計三星電子還將在平澤建設 P4 晶圓廠。

不過，外媒並未給出 P4 晶圓廠何時開始建設、工廠規模、投資規模等方面的預期，三星方面目前也還未公佈他們是否會在平澤再建設晶圓廠。

從外媒的報道來看，下月開始裝置安裝的 P3 晶圓廠，建成後將用於生產 NAND 快閃記憶體、DRAM，也將利用 3nm 工藝為相關的客戶代工晶圓。率先開始生產 NAND 快閃記憶體，隨後是 DRAM，之後是為其他客戶代工晶圓。裝置的安裝，將從 NAND 快閃記憶體生產線的裝置先開始，將在 5 月份的第一個周開始安裝。

外媒在報道中也提到，三星電子在平澤的 P3 晶圓廠，佔地 70 萬平方米，是 P2 晶圓廠的 1.7 倍，他們計劃未來幾年在這一工廠至少投資 30 萬億韓元，最高則是投資 50 萬億韓元，也就是至少投資 240 億美元，最高投資 400 億美元。