記憶體現貨價格下跌速度放緩,預計明年 Q1 觸底
阿新 • • 發佈:2021-11-30
業內人士表示,DRAM 和 NAND 快閃記憶體的現貨價格繼續下跌,但速度有所放緩,預計將在明年第一季觸底。
據《電子時報》報道,11 月主流 8Gb 和 16Gb DDR4 晶片現貨價格下跌 0.7-1.5%,而 10 月的平均跌幅為 7%,11 月 3D TLC NAND 快閃記憶體晶片現貨價格跌幅同樣較上月趨緩,SLC 和 MLC NAND 芯片價格已停止下跌。
訊息人士指出,為保持價格穩定,上游晶片供應商對明年的產能擴張保持謹慎,使得現貨市場的供應商能夠協商出更好的價格。據訊息人士稱,2022 年 DRAM 整體位供應量預計將增加約 5%。
同時,出於盈利考慮,晶片供應商正尋求將更多用於低密度商品 DRAM 記憶體的可用產能轉移至 CMOS 影象感測器的製造,同時啟動 DDR6 記憶體研發。
該訊息人士稱,儘管渠道零售商和分銷商對 2022 年第一季度的需求前景仍然悲觀,但在 2 月中旬之後,需求的可見度有可能變得更加清晰。
終端市場方面,新的第 12 代英特爾酷睿處理器家族預計將從明年開始刺激 PC 應用的需求。智慧手機方面,明年新的 5G 機型是否會刺激終端市場需求仍有待觀察。伺服器方面,需求可能會在 2022 年 1 月中旬之後開始回升。