1 月 28 日訊息，SK 海力士此前率先推出了 HBM3 高頻寬記憶體晶片，其採用多層堆疊方式，使用 TSV 矽通孔工藝製造，單片容量可達 24 GB，最高頻寬可達 896 GB/s。

JEDEC 組織今日公佈了 HBM3 記憶體標準，規範了產品的功能、效能以及容量、頻寬等特性。這一代記憶體相比 HBM2，頻寬增加了一倍。獨立通道的數量從 8 個增加至 16 個，再加上虛擬通道，使得每個晶片支援 32 通道。晶片可以採用 4 層、9 層、12 層堆疊方式，未來可以擴充套件至 16 層堆疊，實現單片容量 64GB。

JEDEC 規定每層晶片的容量為 8Gb 至 32Gb 可選（1GB~4GB），第一代產品預計為單層 16Gb。為了滿足市面上對於這類記憶體可靠性、壽命的需求，HBM3 引入了強大的片上 ECC 糾錯功能

瞭解到，供電方方面，HBM3 晶片採用 0.4V、1.1V 兩檔工作電壓，以便提高能效。

美光公司高管表示，HBM3 將使得計算機達到更高的效能上限，同時能耗會有所降低。SK 海力士 DRAM 產品規劃副總裁表示，隨著高效能運算機和 AI 應用的不斷進步，市場上對於更高效能、更高能效的要求比以往更甚。隨著 HBM3 標準的釋出，SK 海力士很高興能夠為客戶帶來這類產品，同時增強的 ECC 方案可以提高穩定性。SK 海力士為成為 JEDEC 的一員感到十分驕傲，並很高興能夠與行業夥伴一起，建立一個強大的 HBM 生態體系。