羅姆：新一代半導體的氮化鎵將在 2022 年春季之前量產
據日經亞洲評論 2 月 11 日報道，羅姆將在 2022 年春季之前開始量產被視為新一代半導體的氮化鎵（GaN）半導體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導體”，據稱和此前的矽半導體相比，新產品能把電流切換時的損耗減少 6 成。羅姆將在日本濱松市的工廠建設生產裝置，首先面向 5G 基站等供貨。
羅姆將量產能承受 150 伏電壓的產品，用於資料中心和通訊基站。在 2021 年 9 月，已經啟動樣品供貨。新產品採取在矽晶圓之上形成氮化鎵層的結構，包括濱松市工廠在內，羅姆將在海內外各基地進行生產。
羅姆力爭在 2025 財年（截至 2026 年 3 月）之前，使半導體元件業務的營業收入達到目前的 1.5 倍，增至 2100 億日元規模。
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