無錫吳越半導體氮化鎵 GaN 晶體出片，全球首例厚度突破 1 釐米

阿新 • • 發佈：2021-12-16

12 月 15 日，吳越半導體 GaN 晶體出片儀式在無錫高新區舉行。

據無錫高新區訊息，儀式上，吳越半導體展出了全球範圍內首次厚度突破 1 釐米的氮化鎵晶體，並與君聯資本、新投集團簽署 A 輪融資戰略框架協議。

圖片來源：無錫高新區線上

無錫吳越半導體有限公司成立於 2019 年，是無錫先導積體電路裝備材料產業園首個落戶的專案，公司專注於氮化鎵自支撐襯底的開發、生產和銷售。

2020 年 2 月，吳越半導體、先導集團與高新區管委會簽訂合作協議，在無錫高新區實施 2-6 英寸氮化鎵自支撐單晶襯底產業化專案，專案建成投產後，可填補無錫市在第三代化合物半導體氮化鎵原材料領域的空白。

12 月 15 日，吳越半導體 GaN 晶體出片儀式在無錫高新區舉行。據無錫高新區訊息，儀式上，吳越半導體展出了全球範圍內首次厚度突破 1 釐米的氮化鎵晶體，並與君聯資本、新投集團簽署 A 輪融資戰略框架協議。圖片來源

1 月 15 日訊息，據納微半導體官網訊息，今天，納微半導體宣佈開設新的電動汽車 (EV) 設計中心，進一步擴充套件到更高功率的氮化鎵市場。納微半導體表示，與傳統的矽解決方案相比，基於氮化鎵的車載充電器 (OBC) 的

9 月 3 日訊息市調機構 TrendForce 集邦諮詢在今日釋出文章稱，2021 年第三代半導體需求強勁，其中 GaN （氮化鎵）功率元件全年營收將達 8300 萬美元，同比增長 73%，增幅最高，預計到 2025 年市場規模將達 8.5 億美

3 月 17 日訊息，據businesswire 報道，豐田合成Toyoda Gosei 與大阪大學合作，成功研製出了 6 英寸的氮化鎵 GaN 襯底。GaN 功率器件廣泛用於工業機械、汽車、家用電子等領域，隨著全球碳中和的目標，GaN 功率器件作

4 月 23 日訊息，據 MacRumors 報道，最初於 1 月份在 CES 上宣佈，Anker 的美國版 736 USB 充電器現在可通過亞馬遜以 75.99 美元（約 490.14 元人民幣）價格購買，有黑色、銀色款。採用了 Anker 的 GaN II 技術，1

10 月 19 日訊息華碩現已推出 a 豆氮化鎵介面卡，65W 最大輸出功率，2C 1A 介面，售價 199 元。

7 月 15 日訊息聯想於本週正式推出了YOGA CC 130W 雙口氮化鎵充電器。這款產品提供黑白兩色可選，採用摺疊插腳設計，頂部具備兩個 Type-C 介面。充電器兩個插口單口最大功率均為 100W，雙口同時輸出最大功率 130W，

11 月 17 日訊息，廠商安述現已推出 230W 大功率筆記本氮化鎵電源介面卡，官方稱其採用 GaN+Sic 技術，將體積縮小至卡片大小。官方介紹，這款電源介面卡採用 GaN+Sic 兩種第三代半導體材料應用，具有熱導率高，通電

12 月 16 日訊息，今日，意法半導體（ST）宣佈推出新系列產品 —— 氮化鎵（GaN）功率半導體。據介紹，該系列產品屬於意法半導體的 STPOWER 產品組合，能夠顯著降低各種電子產品的能耗和尺寸。▲ 圖源：意法半導體官

荷蘭恩智浦半導體公司週二表示，已在美國亞利桑那州錢德勒市（Chandler）開設了一家工廠，生產用於 5G 電信裝置的氮化鎵晶片。

近日，中國科學技術大學微電子學院龍世兵教授、孫海定研究員團隊在氮化鎵（GaN）半導體 p-n 異質結中實現了獨特的光電流極性反轉（即雙向光電流現象）。中國科大訊息顯示，過去兩年多來，團隊利用分子束外延（MBE）技

10 月 22 日訊息，美東時間 10 月 20 日，納微半導體（Navitas）正式開始在納斯達克全球市場交易，股票程式碼為“NVTS”。▲圖片來源：納微芯球據納微芯球訊息顯示，氮化鎵 (GaN) 是新一代半導體技術，其執行速度比傳

11 月 2 日晚間訊息，近日，納微半導體登陸美國納斯達克成功上市，在近日召開的媒體溝通會上，納微半導體副總裁兼中國區總經理查瑩傑指出，目前納微已經與全球 90% 以上的一線介面卡 OEM/ODM 廠商達成合作，到 2023

11 月 18 日訊息，近期納微半導體宣佈，採用全新 GaNSense 技術的 GaNFast 氮化鎵功率晶片已正式釋出。這也是全球首款智慧 GaNFast 氮化鎵功率晶片，它將能更有效地解決介面卡的發熱問題，同時還能繼續保持安全、穩

近日，福州長樂區重大產業專案招商工作取得新進展，新落地省大資料公司總部、香港錦江功能性綠色超纖、河北東海特鋼高階精品冶金新材料、第三代半導體氮化鎵等 4 個專案，涉及新材料、大資料、第三代半導體等，投資額

12 月 10 號傍晚，有微信公眾號釋出標題為《8000 萬顆 GaN 專案出爐！中芯張汝京加入》的文章。對此，集微網向張汝京本人求證，他明確表示：該訊息不屬實，他本人並未參與該專案，也從未去過該工廠。圖示：文章截圖氮

1 月 5 日訊息，韓國晶圓代工廠商 DB HiTek 通過在矽晶圓片上製作由氮化鎵 (GaN) 材料製成的薄膜來生產半導體晶片，該技術能夠響應通訊裝置、電動汽車充電器和太陽能轉換器等快速增長的市場。圖源：etnews據韓媒 etn

據日經亞洲評論 2 月 11 日報道，羅姆將在 2022 年春季之前開始量產被視為新一代半導體的氮化鎵（GaN）半導體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導體”，據稱和此前的矽半導體相比，新產品能把電流切換時的損耗減

9月27日訊息此前努比亞上架了 65W 氮化鎵 Candy 多彩系列充電器，這款充電器將於今日 10:00 開售，到手價 109 元。

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