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MBR10100DC-ASEMI低壓降貼片肖特基

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MBR10100DC-ASEMI低壓降貼片肖特基

型號:MBR10100DC

品牌:ASEMI

封裝:TO-263

正向電流:10A

反向耐壓:100V

浪湧電流:150A

引腳數量:3

晶片個數:2

晶片尺寸:86MIL

漏電流:10uA

晶片材質:

封裝尺寸:如圖

特性:低壓降肖特基二極體

工作溫度:-55℃~+150℃

肖特基二極體概念

肖特基二極體是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極體(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN接面原理製作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理製作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極體或表面勢壘二極體,它是一種熱載流子二極體。

ASEMI全系列封裝圖

  ASEMI半導體廠家-強元芯電子專業經營分離式元器件,主要生產銷售整流橋系列封裝(DBWOBBRKBPCKBPKBPMGBUGBLKBLKBJKBU);整流模組(MDSMTCMDQQLFSQLF);汽車整流子(25A50A STD&TVS ButtonCellMUR);肖特基二極體TO-220MBR10100101502010020150202003010030200全塑封半塑封);肖特基TO-3P/247,整流二極體(STDFRHERSFSRTVS、開關管、穩壓管);玻璃鈍化(GPP)六英寸晶圓等,各種封裝引數在ASEMI官網都有詳細介紹。