3 月 11 日訊息，三星電子代工部門最近深陷負面傳聞中。先是有訊息稱涉嫌偽造並虛報 5nm、4nm 和 3nm 工藝良率，讓高通等 VIP 客戶不得不另投臺積電，近日又被黑客竊走 200GB 資料。

不過從技術上來看，三星依然是唯一一家能夠緊跟臺積電的晶圓代工廠，而且三星在接下來的 3nm 節點上將更加激進，並想要在全球首次推出 GAA 電晶體工藝，放棄 FinFET 電晶體工藝（臺積電 3nm 工藝仍將基於 FinFET 工藝）。

三星正計劃在 2022 年上半年完成其 3nmGAA 工藝的質量評估。據韓國媒體報道，三星已經準備好在韓國平澤市的 P3 工廠開工建設 3nm 晶圓廠，計劃於 6、7 月份動工，並及時匯入裝置。

根據三星的說法，與 7nm 製造工藝相比，3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，效能提高了約 35%，紙面引數上來說確實要優於臺積電 3nm FinFET 工藝。

三星代工是三星的代工晶片製造業務部門，此前有訊息稱其目前正在與客戶一起進行產品設計和批量生產的質量測試。該業務部門的目標是擊敗競爭對手臺積電，在 3nmGAA 領域獲得“世界第一”的稱號。然而三星能否在 3nm 的效能和產能上滿足客戶的要求還有待觀察。

韓國遠大證券的資料顯示，截至 2020 年，三星 Foundry 擁有的專利僅為 7000- 10000 項，而其競爭對手臺積電已獲得約 3.5 萬至 3.7 萬項專利。因此，業界認為三星認為缺乏 3nm 相關專利，這可能是個問題。

瞭解到，三星旗下 Galaxy 裝置被黑客攻破，近 200GB 資料資訊洩露，涉及合作伙伴高通機密資料，數億名 Galaxy 裝置使用者正在面臨著新的潛在安全風險，引起業界關注。

除此之外，韓國媒體此前還報道稱，三星高管可能在試產階段捏造了其 5nm 以下工藝的晶片良率，以抬高三星代工業務的競爭力。隨後，三星啟動了對原本計劃擴大產能和保證良率的資金下落的調查，進一步瞭解半導體代工廠產量和良率情況。

據三星內部官員透露，“由於晶圓代工廠交付的數量難以滿足代工訂單需求，公司對非記憶體工藝的良率表示懷疑，事實上基於該良率是可以滿足訂單交付的。”另有業內人士透露，在三星為高通生產的驍龍 4nm 製程晶片中，良品率僅為 35%，並且三星自研的 4nm 製程 SoC 獵戶座 2200 的良率更低。

《破防了：良率低到三星自己都納悶，連夜徹查晶圓代工業務資金流向》

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