據 DIGITIMES 報道，三星電子的 3nm GAA 工藝良率仍遠遠落後於其目標。根據一份報道，三星正在努力提高其 3nm GAA 工藝良率，該工藝良率剛剛達到 10% 至 20% 之間。三星 4nm 工藝製造的良率也不盡如人意，僅為 30%-35%。

報道稱，三星計劃在 2023 年引入第二代 3 奈米工藝（3GAP），屆時或將開始積極為代工客戶服務。

市場訊息人士認為，三星第一代 3nm GAA 工藝將首先用於三星自研晶片的製造，該工藝不太可能被外部客戶採用。但該訊息人士稱，三星的第二代 3nm 工藝將為外部客戶的晶片設計做好準備，預計明年開始量產。

該訊息人士指出，臺積電在轉向 GAA 電晶體技術時是否會面臨良率問題還有待觀察。臺積電極有可能擁有基於 GAA 的 2nm，目標是在 2025 年投產。

據稱，三星電子規劃今年實現 3 納米制程晶片量產，不過業內傳言當前工藝（3GAE）的試產良率不盡如人意，僅達到約兩成，低良率帶來的高成本，使三星在 3 奈米工藝量產初期可能僅用於自有產品生產。