豐田合成成功研製出 6 英寸氮化鎵 GaN 襯底:打破尺寸紀錄,可降低器件生產成本
3 月 17 日訊息,據businesswire 報道,豐田合成Toyoda Gosei 與大阪大學合作,成功研製出了 6 英寸的氮化鎵 GaN 襯底。
GaN 功率器件廣泛用於工業機械、汽車、家用電子等領域,隨著全球碳中和的目標,GaN 功率器件作為減少電力損失的一種手段而被寄予厚望,因此需要更高質量和更大直徑的 GaN 襯底,以實現更高的生產效率(降低成本)。
在日本環境省牽頭的一個專案中,豐田合成和大阪大學採用了一種在鈉和鎵的液態金屬中生長 GaN 晶體的方法,來製造高質量的 GaN 襯底,成功製造出了 6 英寸的襯底,為目前世界最大的襯底。
瞭解到,豐田合成接下來將對 6 英寸襯底的批量生產進行質量評估,繼續提高質量,並繼續增加直徑尺寸,有望超過 6 英寸。
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