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訊息稱三星西安快閃記憶體二廠完成擴建並已投產,NAND 產量超全球 10%

3 月 31 日訊息,Digitimes 報道稱,三星電子 (Samsung Electronics) 唯一海外儲存器生產廠,中國西安 NAND Flash 廠區第二工廠日前已完成擴建並投產。據悉,該廠是三星在韓國本土之外,唯一的儲存晶片廠。通過此次擴建,三星電子的 NAND 快閃記憶體生產能力將佔世界市場的 10% 以上。

陝西日報訊息指出,西安三星半導體一期專案於 2012 年 9 月開工建設,2014 年 5 月建成投產,投資總額由建廠時計劃的 70 億美元增加到實際完成投資 108.7 億美元,其中快閃記憶體晶片專案投資 100 億美元,封裝測試專案投資 8.7 億美元。

曾報道,2017 年 8 月 30 日,西安三星半導體投資 70 億美元在西安高新區建設 12 英寸快閃記憶體晶片二期專案,新建一條快閃記憶體生產線。2019 年 12 月,該公司決定再投資 80 億美元,擬對二期專案進行擴建,實現增產及產品迭代。

據悉,三星電子、SK 海力士等韓國半導體大廠都在中國設廠,且生產量市佔整個半導體工廠的一半。三星電子在中國西安建立生產 NAND Flash 儲存晶片月產可以達到 26.5 萬片 12 吋晶圓。而 SK 海力士也在考慮將重要的生產線遷移至中國當地生產。