最低 5nm，中國長城宣佈推出全自動 12 寸晶圓鐳射開槽裝置
4 月 6 日訊息，今日，中國長城官微宣佈，公司旗下鄭州軌道交通資訊科技研究院在研製半導體鐳射隱形晶圓切割裝置的經驗和基礎上，推出了支援超薄晶圓全切工藝的全自動 12 寸晶圓鐳射開槽裝置。
▲ 圖源：中國長城
據介紹，該裝置除了具備常規鐳射開槽功能之外，還支援 5nm DBG 工藝、120 微米以下超薄 wafer 全切割功能、晶圓廠 IGBT 工藝端相關製程和 TAIKO 超薄環切等各種高精端工藝。
瞭解到，中國長城官方表示，該裝置採用的模組化設計，可支援不同脈寬（納秒、皮秒、飛秒）鐳射器。自主研發的光學系統，可實現光斑寬度及長度連續可調，配合高精度運動控制平臺等技術，與鐳射隱切裝置結合，解決了鐳射隱切裝置對錶面材質、厚度、晶向、電阻率的限制，有助於控制產品破損率、提高晶片良率。
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