4 月 28 日訊息，三星電子週四宣佈，將在本季度 (即未來幾周內) 開始使用 3GAE (早期 3nm 級柵極全能) 工藝進行大規模生產。這不僅標誌著業界首創 3nm 級製造技術，也是首個使用環柵場效應電晶體 (GAAFETs) 的節點。

“這是世界上首次大規模生產的 GAA 3 奈米工藝，將以此提高技術領先地位，”三星在一份報告中寫道。

三星 Foundry 的 3GAE 工藝技術是首次使用 GAA 電晶體 (三星將其稱為“多橋溝道場效應電晶體 (MBCFET)”) 工藝。

瞭解到，三星大約在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 工藝節點。當該公司描述使用其 3GAE 技術生產的 256Mb GAAFET SRAM 晶片時，它拿出了許多資料。

三星表示，該工藝將實現 30% 的效能提升、50% 的功耗降低以及高達 80% 的電晶體密度（包括邏輯和 SRAM 電晶體的混合）。不過，三星的效能和功耗的實際組合將如何發揮作用還有待觀察。

理論上，與目前使用的 Finfet 相比，Gaafet 有許多優勢，例如可大大降低電晶體漏電流 (即，降低功耗) 以及挖掘電晶體效能的潛在實力，這意味著更高的產率、和改進的產能。此外，根據應用材料公司最近的報告，GAAFETs 還可以減少 20% 至 30% 的面積。

當然，三星的 3GAE 只是一種“早期”的 3nm 級製造技術，3GAE 將主要由三星 LSI（三星的晶片開發部門）以及可能一兩個 SF 的其他 alpha 客戶使用。如果這些產品的產量和效能符合預期，那麼不久之後我們就可以看到新品大量出貨了。