編輯-Z

在電源系統中，MOS管可以看作是一個電氣開關。當在N溝道MOS管ASE10N65SE的柵極和源極之間施加正電壓時，其開關導通。開啟時，電流可以通過開關從漏極流向源極。那麼選用MOS管ASE10N65SE-ASEMI應當注意哪幾方面呢？

1、確定額定電流

根據電路配置，這個額定電流應該是負載在所有條件下可以承受的最大電流。與電壓的情況類似，需要確保所選的MOS管ASE10N65SE能夠承受這個額定電流，即使是在系統產生峰值電流的情況下。當前考慮的兩種情況是連續模式和脈衝尖峰。在連續導通模式下，MOS管處於穩態，此時電流不斷流過器件。脈衝尖峰是指有大浪湧（或峰值電流）流過器件時。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需選擇能夠承受該最大電流的

選定額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際應用中，MOS管ASE10N65SE並不是理想的器件，因為在導通過程中會有功率損耗，稱為導通損耗。 MOS管ASE10N65SE導通時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)決定，並隨溫度顯著變化。器件的功耗可以通過Iload2×RDS(ON) 計算，由於導通電阻隨溫度變化，功耗也成比例變化。MOS管施加的電壓VGS越高，RDS(ON)越小。對於行動式設計，使用較低電壓更容易（也更常見），而對於工業設計，可以使用更高電壓。請注意，RDS(ON) 電阻會隨電流略微上升。RDS(ON)電阻的各種電氣引數變化可以在製造商提供的技術資料表中找到。

2、確定散熱要求

選擇MOS管ASE10N65SE的下一步是計算系統的散熱要求。必須考慮兩種不同的情況，最壞情況和真實情況。建議使用最壞情況的計算結果，因為這個結果提供了更大的安全餘量來保證系統不會出現故障。MOS管ASE10N65SE的資料表上也有一些測量資料需要注意。如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及最高結溫。

ASE10N65SE的結溫等於最高環境溫度加上熱阻和功率耗散的乘積（結溫=最高環境溫度+[熱阻x功耗]）。系統的最大功耗可以從這個等式求解，根據定義，它等於I2×RDS(ON)。由於已經確定了將通過器件的最大電流，因此可以計算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是，在處理簡單的熱模型時，還必須考慮半導體結

3、確定開關效能

選擇MOS管ASE10N65SE的最後一步是確定MOS管的開關效能。影響開關效能的引數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極和漏極/源極電容。這些電容器會在裝置中產生開關損耗，因為它們在每次開關時都會充電。因此，降低MOS管的開關速度，也降低了器件效率。要計算器件在開關期間的總損耗，必須計算開啟期間的損耗(Eon)和關斷期間的損耗(Eoff)。MOS管開關的總功率可用下式表示：Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。柵極電荷(Qgd)對開關效能的影響最大。