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7N60-ASEMI低功耗mos管7N60

型號：7N60

品牌：ASEMI

封裝：TO-220

電性引數7A 600V

正向電流：7A

反向耐壓：600V

恢復時間：

引腳數量：3

晶片個數：1

晶片尺寸：

封裝尺寸：如圖

特性：場效電晶體

浪湧電流：

工作溫度：-55℃~+150℃

場效電晶體原理：

場效電晶體工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加

ASEMI全系列封裝圖

ASEMI半導體廠家-強元芯電子專業經營分離式元器件，主要生產銷售整流橋系列封裝（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模組（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽車整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二極體TO-220（MBR10100、10150