目前，影響開關電源電源效率的兩個損耗因素是：導通損耗和開關損耗，以下分別對這兩種損耗做具體分析。

　　導通損耗

　　導通損耗具體來講是由MOS管的導通阻抗Rds產生的，Rds與柵極驅動電壓Vgs和流經MOS管的電流有關。如果想要設計出效率更高、體積更小的電源，必須充分降低導通阻抗。如圖1所示是導通阻抗Rds、Vgs和Id的曲線圖：

　　開關損耗

　　柵極電荷Qg是產生開關損耗的主要原因。柵極電荷是

　　MOS管選型

　　針對開關電源的應用，美國中央半導體（CentralSemi）推出了一系列低Rds和Qg的功率MOSFET。代表型號為CDM2205-800FP，該MOS管具有以下效能優勢：

　　耐壓為800V

　　連續電流5A

　　導通阻抗低至2.2Ω

　　柵極電荷Qg僅為17.4nC

　　如圖3所示是CDM2205-800FP在反激開關電源中的應用。在電源設計器件選型中，首先根據電源的輸入電壓，確定器件所能承受的電壓，額定電壓越大，器件的成本就越高。然後需要確定MOS管的額定電流，該額定電流應該是負載在所有情況下能夠承受的電流。確保所選擇的MOS管能夠承受連續電流和脈衝尖峰。