1. NANDFLASH基礎

1.1 Nandflash相對於Norflash， 無法按地址匯流排進行精確定址，只能按塊（Block）訪問。
1.2 Nandflash的製造工藝有兩種，一種是SLC(Single-Level Cell)， 其特點是每一個單元儲存一位資料；另一種MLC（Multi-level Cell），其特點是每個Cell儲存兩位資料。SLC效能更好，但是MLC更加便宜。
1.3 Nandfalsh的組織方式

從上圖中可以看到，K9F2G08(2G代表其容量為2G，08代表其為8位的)的頁（Page）、塊（Block）、裝置（Device）的大小以及關係。
- 頁是Nandflash的最小讀寫單位；而塊是Nandflash的最小擦除單位；
- Nandflash中儲存的資料有有帶內資料（Main Data area）和帶外資料（Spare area，Linux系統中，一般叫做OOB（Out Of Band））之分，如上圖所示，1Page = (2K+64)Bytes。其中，2K代表的就是帶內資料，放的是我們需要存放的資料；64B代表的是帶外資料，存放ECC（Error Correction Code，錯誤校驗碼）以及壞塊標記等。

1.4 Nandflash地址線

由於Nandflash是8位的，地址線肯定是超過8位的，所以採用了多個地址週期。由上圖可以看到，K9F2G08是一個5地址週期的裝置，其中有兩個列地址週期，三個行地址週期。列地址代表一個頁內的地址，對於K9F2G08每頁為2KB，11位地址線就夠用了，A10其實是0。行地址代表頁號，即在哪一個頁。儘管地址線能夠定位到頁內的某個具體地址，但是依舊只能按Block讀寫。

2. NANDFALSH控制

Nandflash的控制分為兩部分，首先在K9F2G08一端有控制電路，其次在S5PV210的Soc內部有控制器。這兩部分的存在極大地簡化了我們對Nandflash的控制，我們可以不必要再自己來處理Nandflash複雜的控制時序，而是隻用操作S5PV210中的SFR(特殊功能暫存器)即可。這種控制思想在LCD、SDRAM等都是相同的，我們在相應暫存器按照固定的流程中寫資料、寫命令、寫地址即可完成控制。

3. NANDFLASH基本操作

Nandflash有四個基本操作：壞塊檢查（Identifying Invalid Block）；頁讀（Read）；頁寫(Program)；擦除(Erase)塊。

3.1 壞塊檢查

Flash使用之前要先統一擦除塊。Flash類裝置擦除后里面全是1，所以擦乾淨之後讀出來的值是0xFF。如果讀出來的不是0xFF則表明是壞塊。

3.2 頁寫

- Nandflash的介面電路先接收資料到自己的緩衝區，然後再集中寫入Nand晶片的儲存區域中。Nand介面電路將一頁資料從緩衝區中寫入Nand儲存系統中需要一定的時間，這段時間Nand晶片不能再響應SOC發過來的其他命令，所以SoC要等待Nand介面電路忙完。
- 等待方法是SoC不斷讀取狀態暫存器（這個狀態暫存器有2種情況：一種是SoC的Nand控制器自帶的，另一種是SoC通過發命令得到命令響應得到的），然後通過檢查這個狀態暫存器的狀態位就能知道Nand介面電路剛才寫的那一頁資料寫完了沒、寫好了沒。直到SoC收到正確的狀態暫存器響應才能認為剛才要寫的那一頁資料已經ok。

3.3 頁讀和擦除塊