本文主要介紹閘流體可控矽引數_閘流體可控矽工作原理，閘流體可控矽的外形如何，它們的管芯都是由P型矽和N型矽組成的四層P1N1P2N2結構，它有三個PN接面（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。

閘流體可控矽主要引數
額定通態平均電流，在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
正向阻斷峰值電壓，在控制極開路未加觸發訊號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重複加在閘流體可控矽兩端的正向峰值電壓。閘流體可控矽承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個引數值。
反向陰斷峰值電壓，當閘流體可控矽加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重複加在閘流體可控矽兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個引數值。
控制極觸發電流，在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使閘流體可控矽從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
維持電流，在規定溫度下，控制極斷路，維持閘流體可控矽導通所必需的最小陽極正向電流。
採用閘流體可控矽技術對照明系統進行控制具有：電壓調節速度快，精度高，可分時段實時調整，有穩壓作用，採用電子元件，相對來說體積小、重量輕、成本低。但該調壓方式存在一致命缺陷，由於斬波，使電壓無法實現正弦波輸出，還會出現大量諧波，形成對電網系統諧波汙染，危害極大，不能用在有電容補償電路中。（現代照明設計要求規定，照明系統中功率因數必須達到0.9以上，而氣體放電燈的功率因數在一般在0.5以下，所以都設計用電容補償功率因數）在國外發達國家，已有明文規定對電氣裝置諧波含量的限制，在國內，北京、上海、廣州等大城市，已對諧波含量超標的裝置限制併入電網使用。
閘流體可控矽工作原理

在分析閘流體可控矽工作原理時，我們經常將這種四層P1N1P2N2結構看作由一個PNP管和NPN管構成。當陽極A端加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態，此時由控制極G端輸入正向觸發訊號，使得BG2管有基極電流ib2通過，經過BG2管的放大後，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極，故有ib1=ic2，電流又經BG1管的放大作用後，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增，進而使得閘流體可控矽飽和並導通。由於在電路中形成了正反饋，所以閘流體可控矽一旦導通後無法關斷，即使控制極G端的電流消失，閘流體可控矽仍能繼續維持這種導通的狀態。
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