DDR2與DDR的區別 

1、速率與預取量 

DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍，DDR2記憶體擁有兩倍於標準DDR記憶體的4bit預期能力。 

2、封裝與電壓 

DDR封裝為TSOPII，DDR2封裝為FBGA；

DDR的標準電壓為2.5V，DDR2的標準電壓為1.8V。

3、bit pre-fetch 

DDR為2bit pre-fetch，DDR2為4bit pre-fetch。

4、新技術的引進 

DDR2引入了OCD、ODT和POST

（1）ODT：ODT是內建核心的終結電阻，它的功能是讓DQS、RDQS、DQ和DM訊號在終結電阻處消耗完，防止這些訊號在電路上形成反射；

（2）Post CAS：它是為了提高DDR2記憶體的利用效率而設定的；

在沒有前置CAS功能時，對其他L-Bank的定址操作可能會因當前行的CAS命令佔用地址線而延後，並使資料I/O匯流排出現空閒，當使用前置CAS後，消除了命令衝突並使資料I/O匯流排的利率提高。

（3）OCD（Off-Chip Driver）：離線驅動調整，DDR2通過OCD可以提高訊號的完整性 

OCD的作用在於調整DQS與DQ之間的同步，以確保訊號的完整與可靠性，OCD的主要用意在於調整I/O介面端的電壓，來補償上拉與下拉電阻值，目的是讓DQS與DQ資料訊號間的偏差降低到最小。調校期間，分別測試DQS高電平和DQ高電平，與DQS低電平和DQ高電平時的同步情況，如果不滿足要求，則通過設定突發長度的地址線來傳送上拉/下拉電阻等級，直到測試合格才退出OCD操作。

DDR3與DDR2的區別

1、DDR2為1.8V，DDR3為1.5V； 

2、DDR3採用CSP和FBGA封裝，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格； 

3、邏輯Bank數量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8個； 

4、突發長度，由於DDR3的預期為8bit,所以突發傳輸週期（BL，Burst Length）也固定位8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bitBurst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸，屆時可通過A112位地址線來控制這一突發模式； 

5、定址時序（Timing），DDR2的AL為0~4，DDR3為0、CL-1和CL-2，另外DDR3還增加了一個時序引數——寫入延遲（CWD）； 

6、bit pre-fetch：DDR2為4bit pre-fetch,DDR3為8bit pre-fetch；

7、新增功能，ZQ是一個新增的引腳，在這個引腳上接有240歐姆的低公差參考電阻，新增裸露SRT（Self-Reflash Temperature）可程式設計化溫度控制儲存器時鐘頻率功能，新增PASR（PartialArray Self-Refresh）區域性Bank重新整理的功能，可以說針對整個儲存器Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效；

8、DDR3的參考電壓分成兩個，即為命令與地址訊號服務的VREFCA和為資料匯流排服務的VREFDQ，這將有效低提高系統資料匯流排的信噪等級； 

9、點對點連線（point-to-point,p2p），這是為了提高系統性能而進行的重要改動。

總體比較

DDR4展望