無源晶振再使用時可以見到如下幾種形式，具體如下：

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　　各種形式基本都有，最常見的就是下圖中的格式：
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　　首先按照1.電容的有無？2.並聯電阻和串聯電阻的作用？兩部分進行說明

一、電容的作用

1、晶體旁邊不加電容是可以的。

2、晶體旁邊加的這個電容被我們稱之為晶體負載電容。晶體的諧振頻率為Fr，加了電容的諧振頻率為有載諧振頻率FL。晶體諧振頻率Fr與晶體有載諧振頻率FL的關係為：

FL＝Fr + Ts*CL

　　式中Ts為晶體的牽引量，單位為ppm/pF。CL為晶體的負載電容，即晶體旁邊加的那個電容，單位為pF。

3、如果電路不加負載電容，則電路會工作在晶體諧振頻率上。所以電路中是可以不加負載電容的。

4、晶體發生諧振後，會呈現為純電阻，即諧振阻抗。在有載諧振中，諧振電阻一般會與負載電容呈反比例關係。也就是說負載電容越小，電路的諧振阻抗越高，就越不容易起振，輸出波形幅度就越小。

5、而事實上，電路直接工作在晶體諧振頻率的狀態是非常理想化的。我們一般的電路都或多或少的有一些雜散電容。當電路振盪時，這些雜散電容便被視為晶體的負載電容進行工作。由於這些雜散電容一般都很小，且不穩定，這就造成晶體振盪頻率不穩定，且諧振阻抗增高，“可能工作不穩定，頻率不準確”。當然，如果你的振盪電路較為簡單，而且PCB走線設計的又十分合理，PCB上的雜散電容小到可以忽略不計且十分穩定，那麼就可以不加電容。

6、那麼在設計電路時該如何加這個負載電容呢？首先你要明白FL這個有載諧振頻率就是你的電路所要的頻率。電路中的雜散電容為Cy的話，根據上面的公式，你所設計的電路頻率應為：

　　FL = Fr + Ts*(Cy+CL)

　　設計時，你的負載電容CL可以用可調電容替代，調整CL值直到電路工作在你所要的頻率上。一般時候這個負載電容CL值不要太小，上面說過電容太小，諧振阻抗會變高，不利於起振且輸出幅度小。所以這個電容值一般選取在10至30pF之間。此時由於負載電容CL值遠遠大於雜散電容Cy值，因此對雜散電容的不穩定性可以忽略不計。所以加了負載電容的電路會更穩定，頻率更準確。

一、並聯或者串聯電阻的作用

　　一份電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻，這是由於連線晶振的晶片端內部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網路提供另外180度的相移，整個環路的相移360度，滿足振盪的相位條件，同時還要求閉環增益大於等於1，晶體才正常工作。

　　 晶振輸入輸出連線的電阻作用是產生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區，一般在M歐級，輸出端的電阻與負載電容組成網路，提供180度相移，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅動，損壞晶振。

　　 和晶振串聯的電阻常用來預防晶振被過分驅動。晶振過分驅動的後果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，並導致晶振的早期失效，又可以講drive level調整用。用來調整drive level和發振餘裕度。

　　Xin和Xout的內部一般是一個施密特反相器,反相器是不能驅動晶體震盪的.因此,在反相器的兩端並聯一個電阻,由電阻完成將輸出的訊號反向 180度反饋到輸入端形成負反饋,構成負反饋放大電路.晶體並在電阻上,電阻與晶體的等效阻抗是並聯關係,自己想一下是電阻大還是電阻小對晶體的阻抗影響小大?

　　 電阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋迴路，形成放大器，當晶體並在其中會使反饋迴路的交流等效按照晶體頻率諧振，由於晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的範圍變化都不會影響輸出頻率。過去，曾經試驗此電路的穩定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響脈寬比的。

　　 晶體的Q值非常高, Q值是什麼意思呢？ 晶體的串聯等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶體一般等效於一個Q很高很高的電感，相當於電感的導線電阻很小很小。Q一般達到10^-4量級。

　　 避免訊號太強打壞晶體的。電阻一般比較大，一般是幾百K。

　　 串進去的電阻是用來限制振盪幅度的，並進去的兩顆電容根據LZ的晶振為幾十MHZ一般是在20~30P左右，主要用與微調頻率和波形，並影響幅度，並進去的電阻就要看 IC spec了，有的是用來反饋的，有的是為過EMI的對策

　　 可是轉化為 並聯等效阻抗後，Re越小，Rp就越大，這是有現成的公式的。晶體的等效Rp很大很大。外面並的電阻是併到這個Rp上的，於是，降低了Rp值 —–＞ 增大了Re —–＞ 降低了Q

　　 精確的分析還可以知道，對頻率也會有很小很小的影響。

總結

　　並聯電阻的作用：
1.降低晶體的Q值，Q值降低後晶體起振比較容易
2.抑制EMI,EMI不過時，可減小阻值
3.提供直流工作點
4.使閘電路工作於線性區

　　串聯電阻的作用：

1.降低晶體的激勵功率，防止損壞。
2.限制振盪幅度。

　　例項：

　　已成型的一款產品因更換陶瓷晶振廠家後，陶振不容易起振，經過測試，將晶振並聯一個1M電阻，晶振能夠正常起振。

　　原因：這個電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作線上性區, 以獲得增益, 在飽和區是沒有增益的, 而沒有增益是無法振盪的. 如果用晶片中的反相器來作振盪, 必須外接這個電阻, 對於CMOS而言可以是1M以上, 對於TTL則比較複雜, 視不同型別(S,LS…)而定. 如果是晶片指定的晶振引腳, 如在某些微處理器中, 常常可以不加, 因為晶片內部已經制作了, 要仔細閱讀DATA SHEET的有關說明.

　　附：電阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋迴路，形成放大器，當晶體並在其中會使反饋迴路的交流等效按照晶體頻率諧振，由於晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的範圍變化都不會影響輸出頻率。過去，曾經試驗此電路的穩定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響脈寬比的。