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關於STC89C52： 

1、STC89C52只有512位元組的的RAM，包括2部份，一是256位元組的內部RAM，二是256位元組的外部RAM；STC89C54以上的晶片才有1K的RAM（內256＋外1024）。

 2、1K的EEPROM（應為2K）出廠時內建有支援序列下載功能的程式碼，配合官方下載軟體完成程式碼的串列埠下載。這個區域在實際應用當中也可用於可儲存斷電後不能丟失的資料，但實際操作上不能像RAM那樣直接讀寫，需要通過專門的暫存器操作來完成讀寫。 

3、EEPROM不是ROM，也不是RAM，EEPROM也沒有用作RAM--你先這樣記，這個問題說起來內容比較多，後面細談。

 4、Flash程式儲存器8K就是當ROM用（這句話嚴格的講應該說成“Flash程式儲存器8K就是當程式儲存器用”）：基本上是這樣。關於ROM、FALSH後面細說。 是否需要1K的RAM：可在編譯完成後觀察編譯結果，如果能編譯成功，應該有類似下面的資訊：“program size：data=9.0,xdata=1,code =2345”，其中data的整數部份就是你實際需要的內部RAM位元組數，xdata是你實際需要的外部RAM位元組數，code是程式碼長度。你可以根據這個資訊選擇最合適的STC微控制器型號。具體到STC89C52：data<256，xdata<256，code<8192就行對上述的一些概念補充說明（包括_at_）

 1、51微控制器的C語言中有個需要關注的概念就是變數或資料的儲存模式（PC機是否有類似的情況我不瞭解）。在C51中的儲存模式是data、bdata、idata、pdata、xdata、code共6種：

data、bdata、idata：就是說變數或資料位於微控制器的內部RAM中（ST89C52有256位元組），訪問速度最快。

 pdata、xdata：就是說變數或資料位於擴充套件的外部RAM中（ST89C52內集成了256位元組），相對內部RAM訪問速度要慢。

code：就是程式程式碼，位於微控制器的程式儲存其中（ST89C52內含8192位元組）

 KEIL C編譯時在有個選項叫資料儲存模式（Memory Model），如果

2、關於FLASH、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、RAM 我們現在一般都會把微控制器的程式儲存器叫ROM，早先的硬體程式程式碼確實是放在ROM型的器件中（包括電腦的BIOS），所以ROM就是程式、程式就是ROM，大家都理解，就成習慣了。其實這是不對的，真正的ROM現在很少用了。

下面就這幾個名詞解釋一下： 

RAM：一般都叫記憶體，特點是讀寫速度快，但斷電後資料丟失（後5種斷電後資料不丟失）

 ROM：只讀儲存器。特點是隻能讀，其內容在晶片出廠時就已經固化，如果有錯只能扔掉

 PROM：可程式設計只讀儲存器。特點是實際應用中只能讀，但應用產品生產環節可由使用者來完成對晶片的程式設計，只能寫1次，有錯的話下場同ROM。 

EPROM：可重複擦寫的只讀儲存器。特點是實際應用中只能讀，但可以通過紫外線擦除（也有電擦除的），從而實現再程式設計，只是程式設計時一般需要將晶片取下來在專用裝置上擦除、程式設計（電擦除的雖然可以在使用者系統上實現擦除及程式設計，但必須設計專門的擦除程式設計電路）。上世紀90年代基本上都採用的是這種模式，如果你看到某個晶片上有個小玻璃窗，一般就是這種工藝的晶片。紫外線擦除需要15分鐘的時間，也很麻煩，而且映像中程式設計次數只有1000次。

 EEPROM：可重複擦寫的非易失性儲存器。特點是可讀可寫，且斷電後資料不丟失。採取這種工藝的晶片大多數都是通過IIC匯流排模式來訪問的。但其容量一般都不大，適合於資料不多的應用。

 FLASH：可重複擦寫的非易失性儲存器。特點是可讀可寫，且斷電後資料不丟失。與EEPROM的主要區別在於口線更多、儲存容量更大、速度更快，還有就是擦寫方式不同：EEPROM可按位元組擦寫，而FLASH是塊擦寫模式，所以速度上FALSH的讀寫更快。 STC微控制器為什麼要採取EEPROM的模式而不採用FLASH我不知道，可能是因為EEPROM相對成本較低，而且可以直接用作非易失性儲存，不需要使用者外擴EEPROM了