1 三極體和MOS管的基本特性

三極體是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極體和PNP型三極體兩種，符號如下：

MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管（簡稱PMOS）和N溝道MOS管（簡稱NMOS），符號如下（此處只討論常用的增強型MOS管）：

2 三極體和MOS管的正確應用

（1）NPN型三極體，適合射極接GND集電極接負載到VCC的情況。只要基極電壓高於射極電壓（此處為GND）0.7V，即發射結正偏（VBE為正），NPN型三極體即可開始導通。

基極用高電平驅動NPN型三極體導通（低電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND；優點是，①使基極控制電平由高變低時，基極能夠更快被拉低，NPN型三極體能夠更快更可靠地截止；②系統剛上電時，基極是確定的低電平。

（2）PNP型三極體，適合射極接VCC集電極接負載到GND的情況。只要基極電壓低於射極電壓（此處為VCC）0.7V，即發射結反偏（VBE為負），PNP型三極體即可開始導通。

基極用低電平驅動PNP型三極體導通（高電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC；優點是，①使基極控制電平由低變高時，基極能夠更快被拉高，PNP型三極體能夠更快更可靠地截止；②系統剛上電時，基極是確定的高電平。

所以，如上所述

對NPN三極體來說，最優的設計是，負載R12接在集電極和VCC之間。不夠周到的設計是，負載R12接在射極和GND之間。

對PNP三極體來說，最優的設計是，負載R14接在集電極和GND之間。不夠周到的設計是，負載R14接在集電極和VCC之間。

這樣，就可以避免負載的變化被耦合到控制端。從電流的方向可以明顯看出。

（3）PMOS，適合源極接VCC漏極接負載到GND的情況。只要柵極電壓低於源極電壓（此處為VCC）超過Vth（即Vgs超過-Vth），PMOS即可開始導通。

柵極用低電平驅動PMOS導通（高電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高，PMOS能夠更快更可靠地截止。

（4）NMOS，適合源極接GND漏極接負載到VCC的情況。只要柵極電壓高於源極電壓（此處為GND）超過Vth（即Vgs超過Vth），NMOS即可開始導通。

柵極用高電平驅動NMOS導通（低電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND，使柵極控制電平由高變低時，柵極能夠更快被拉低，NMOS能夠更快更可靠地截止

所以，如上所述

對PMOS來說，最優的設計是，負載R16接在漏極和GND之間。不夠周到的設計是，負載R16接在源極和VCC之間。

對NMOS來說，最優的設計是，負載R18接在漏極和VCC之間。不夠周到的設計是，負載R18接在源極和GND之間。

3 設計原則

為避免負載的變化被耦合到控制端（基極Ib或柵極Vgs）的精密邏輯器件（如MCU）中，負載應接在集電極或漏極。

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