在RAM的使用上面，我的感覺是隻有大概的方向，比如：

儘量少用雙口RAM，小RAM儘量少用，RAM形狀儘量合理

但這些僅僅是停留在大概的印象中，沒有一個非常明確的資料支撐，心裡還是不夠有底。

我感覺RAM的選型結合實際的設計如果做得夠好，應該可以讓面積時序有比較大的提升。

Q：RAM拼接是在RAM wrapper中做的吧，我們目前的wrapper指令碼支援所有型別RAM形狀的需求？
A：有兩種拼接，Vendor聲稱能支援所有深度位寬的ram，我們有些形狀奇怪的ram即使vendor支援也是在提供給我們的ram庫裡進行拆分的，就像上次陳源講ram選型時會自動拆成多個bank。
一些vendor不支援的ram（如深度太深、位寬太小或太大），才會在wrapper裡由設計人員手動拼接。
wrapper對ram形狀是無限制的，主要看vendor怎樣支援。在vendor不支援的情況下ram wrapper是不會自動拼接的，要手動拼。

Q：從後端的角度看，什麼樣的RAM位寬和深度是個合理的分割點，
   就比如RAM位寬，32bit/64bit還是128bit，
    我印象中應該是RAM位寬儘量小點好，位寬小是因為時序的原因，面積的原因，還是後端其他的原因？
A：我印象應該是長方形的較好吧，ram形狀要從資源、功耗和方便擺放方面考慮，太方或太長都不好吧。位寬要看ram深度多少，沒有固定多少bit最好，case by case的應該，拿不準的時候可能要用vendor給的工具選一把。我感覺在初始設計時大概注意一下就行，排除一些明顯不合理的選型，到所有ram出來後會統一做一次ram匹配的，到時少數不合理的再進行調整。

Q：我們在前端設計中，會由於我們李志強大的wrapper指令碼，就根據其他需求隨便定義RAM形狀
   還是在前端就要嚴格控制RAM的位寬，深度，以及粒度劃分，直到從功能和後端的所有點都達到最優，包括面積/時序/PR困難等。
A：要適當有所控制，經驗比價重要，比如像20*200這種選型就明顯不合理。前端設計時在做方案review時一些明顯不合理的ram也可以發現的。
專案組也會在85%前統一做一次ram選型匹配的。這方面不需要太擔心。

Q：看來RAM設計要總結出一個非常明確的設計原則還是比較困難的，那怎麼辦？那麼辦？

A：RAM的選型和麵積的對應關係，找出一個確定的公式還是比較困難的，因為這與vendor的工藝、memory庫的設計都有很大的關係，切換到任何一家vendor都要重新重新整理一個原則。

比如下一版是COT，memory準備使用誰的，就要提前分析它的特性。

但是一些大的原則還是有的：正如你提到的RAM的形狀，其實也不是越方或越長就怎樣，關鍵是所有的RAM形狀要比較一致，floorplan的時候是把RAM擺在邊上，如果RAM規整，對於floorplan比較有好處，可以提升subchip的utilization；另外，單口一定是比雙口RAM好，因為size還是會小很多，功耗的考慮就要具體分析；越是大塊的RAM速度可能會變慢，時序上要考慮；還有一個，如果一個subchip中RAM非常多，並且並行度非常高（databus比較寬），對gatecount以及timing都沒有好處，無論是DFT還是PR都會增加不少資源，這就需要我們設計早期做tradeoff，一些臨界狀態的儲存需求可以考慮用暫存器而不是RAM，對timing和功耗都會有一定的好處。最後我想到的一點是，RAM越多，良率就會越低，進入深納米工藝之後，軟失效的問題也可能會成為比功耗更嚴重的問題，所以設計時不要一味的考慮使用RAM整合度就會更高，省diesize，實際上，很多小的RAM對diesize是不利的。

做大型memory（例如L3或local的大塊memory）時，可考慮eDRAM，可向SDR瞭解28nm TSMC 28nm的成熟度和可用性，使用eDRAM可大幅降低diesize和功耗，同時降低軟失效率。