3月13日訊息三星電子和臺積電目前都計劃開展 3nm 製程工藝研發。據外媒 TomsHardware 訊息，三星在 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC）上，三星工程師分享了即將推出的 3nm GAE MBCFET 晶片的製造細節。

GAAFET 電晶體（閘極全環場效電晶體）從構造上有兩種形態，是目前 FinFET 的升級版。三星表示傳統的 GAAFET 工藝採用三層奈米線來構造電晶體，柵極比較薄；而三星 MBCFET 工藝使用奈米片構造電晶體，三星已經為 MBCFET 註冊了商標。三星表示，這兩種方式都可以實現 3nm，但取決於具體設計。

第一種 GAAFET 電晶體的想法早在 1988 年便被提出，這項技術允許設計者通過調整電晶體通道的寬度來精確控制性能和功耗。較寬的材料便於在大功率下獲得更高的效能；而較薄的材料可以降低功耗，但是效能受影響。

瞭解到，三星於 2019 年便展現了 3GAE 工藝的原理。三星表示，與 7LPP 技術相比，3GAE 能夠實現 30% 的效能改進，功率降低 50%，此外電晶體密度可以提升 80%。