SK 海力士將投資 1060 億美元在韓國建設晶片工廠，第四季度動工
4月2日訊息據韓國媒體訊息，晶片製造商 SK 海力士新建工廠的規劃今日得到韓國政府批准，該工廠總投資額將達到 1060 億美元，地點位於首爾南部約 50 公里的位置。
訊息表示，SK 海力士此工廠總面積額將達到 415 萬平方米，計劃主要生產 DRAM 晶片，定於 2021 年第四季度開工，2025 年建成投產。這一大型工廠將包含四個晶圓加工廠，每個月產量為 80 萬片。
此前報道，SK 海力士近日表示，將在未來 10 年內開發 10nm 以下製程工藝的 DRAM 晶片，以及 600 層堆疊的 NAND 快閃記憶體。截至目前，該公司已經成功研發出 176 層堆疊的 3D NAND。新技術將引入新的電介質材料來保持均勻電荷，從而保持可靠性，減少漏電。
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