5 月 12 日訊息，東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）開發了用於碳化矽（SiC）功率模組的封裝技術，能夠使產品的可靠性提升一倍，同時減少 20% 的封裝尺寸。

與矽相比，碳化矽可以實現更高的電壓和更低的損耗，且被廣泛視為功率器件的新一代材料。雖然目前主要應用於火車的逆變器上，但是很快將被廣泛用於光伏發電系統和汽車裝置等高壓應用。

通過銀燒結技術改善提高可靠性

可靠性是碳化矽器件使用受限的主要問題。在高壓功率模組中的應用不僅是半導體晶片，封裝本身也必須具備高度的可靠性。東芝通過一種全新的銀（Ag）燒結技術進行晶片焊接，來實現有效提高封裝可靠性的目標。

在當前的碳化矽封裝中，功率密度提高以及開關頻率都會導致焊接效能劣化，很難抑制晶片中隨著時間的推移而增加的導通電阻。銀燒結技術可以顯著降低這種退化。而銀燒結層的熱電阻僅為焊接層的一半，從而使模組中的晶片可以更加緊密地靠近，從而縮小了尺寸。

碳化矽功率模組的新封裝（iXPLV）

東芝將此新技術命名為 iXPLV，並從本月底起其將應用於 3.3kV 級碳化矽功率模組的批量生產。