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群聯釋出 PS5018-E18 SSD 主控:12nm 製程,支援 176 層快閃記憶體顆粒

5 月 26 日訊息群聯電子(Phison)昨日正式推出全新的 NVMe SSD 主控晶片,型號為 PS5018-E18。這款晶片採用 PCIe 4.0×4 通道,讀寫效能均突破 7000MB/s。不僅如此,這款晶片採用了臺積電 12nm 製程工藝,相比市面上的其它主控能夠有效降低發熱。

群聯此款主控具有三顆 ARM Cortex R5 核心,同時具備雙 CoXProcessor 處理器用於資料傳輸、地址轉換。主控支援第四代 LDPC 糾錯引擎,相容 NVMe 1.4 協議規範。

速度方面,E18 主控相比此前推出的 E16 主控效能有了明顯提升,順序讀取超過 7400MB/s,順序寫入超過 7000MB/s。主控晶片相容 176 層 NAND 快閃記憶體顆粒,其隨機讀寫效能相比市面上的 96 層顆粒提升了 35%,可達 100 萬 IOPS

據瞭解,群聯這款主控晶片具有 8 通道、32CE,相容 DDR4 快取,支援最大容量為 8TB。官方表示,產品將於在中國臺北舉辦的 Computex 2021 展會上展出。