7 月 13 日訊息 供應鏈媒體Digitimes 今日整理了三大晶圓廠以及 IBM 在 10nm、7nm、5nm、3nm、2nm 的技術指標（電晶體密度）演進對比圖。

科普：電晶體密度即晶片上每平方單位電晶體數，此處對比的是每平方毫米電晶體數量。

Digitimes 指出，英特爾此前聲稱臺積電的 7nm 製程與其 10nm 製程相當，從技術角度而言這可能是真的，雖然英特爾還沒有真正超過臺積電，不過三星的工藝是真的水。

瞭解到，三星曾多次宣佈他們帶領檯積電推出了更先進的工藝技術，但最終未能爭取到關鍵客戶。

對於代工行業來說，比競爭對手先一步推出更先進的工藝節點並不一定意味著商業上的成功。尤其是良率、廠商與供應商的合作關係以及與客戶的共同技術開發的作用在其中也發揮著相當重要的作用。

在 10nm 節點上，臺積電實現了每平方毫米 5300 萬電晶體密度，而三星的電晶體密度為 5200 萬個，但英特爾的 10nm 節點可達 1.06 億的電晶體密度，這甚至比臺積電和三星的 7nm 的 9700 萬和 9500 萬還要高。

眾所周知，哪怕英特爾技術指標不虛臺積電，他最終也沒有贏得客戶的青睞，甚至在臺積電和三星實現 5nm 之時才真正量產出 10nm 的處理器。

當然，對比工藝水準只看電晶體密度肯定是片面的。而且目前英特爾的主要問題是量產困難、客戶信任以及實際收益率，畢竟三星報價遠低於業界水準，價效比更高。

英特爾的 7nm 技術（預計 2022 年底或 2023 年初）目標是實現每平方毫米接近 1.8 億個電晶體的高標準，但這只是一個基準，目前看來並不具有商業可行性。

而臺積電似乎在技術上領先三星越來越遠，其 5nm 工藝實現了 1.73 億個電晶體的密度，這與英特爾 7nm 的 1.7 億目標相當，且超過了三星 3nm 的 1.7 億的密度自誇。

3nm 太遙遠，此處不再提及，Digitimes 繪製瞭如下對比圖，各位小夥伴可權作參考：

值得一提的是，臺積電也是第一家將 EUV 裝置大量裝機生產的企業。據稱，在全球生產的 EUV 裝置中，有一半以上被臺積電拿下，而臺積電也正藉此生產著全球 70% 以上的晶片，使其牢牢佔據著 55% 的代工市場份額，並吃下了超過 80% 的全球代工收入。