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追趕臺積電,三星計劃投資 170 億美元在美國建 3nm 晶圓廠

近日,據《華爾街日報》報道,根據相關檔案和知情人士透露,韓國三星電子正在考慮投資高達 170 億美元在亞利桑那州、德薩斯州或紐約州建立一家晶片製造工廠。這意味著三星和臺積電正進一步擴大在先進製程上的競爭。

目前三星正在生產 5nm EUV 晶片,這家韓國晶片巨頭一貫希望加強其先進製造工藝,增強同臺積電的競爭力。此前有報道稱,三星為在更短的時間內追趕上臺積電,直接跳過了 4nm 工藝節點,從 5nm 躍升至 3nm。但是,要實現這一計劃,需要進行一些鉅額投資。

事實證明,三星已經注意到這一點,正在考慮斥資 170 億美元在美國建設晶圓廠。據知情人士透露,三星正在鳳凰城及其周邊尋找兩個合適的地點,另有一個大型工業園區位於紐約西部的根西縣。

這座價值 170 億美元的 3nm 晶片製造工廠的位置很特別,就在這座城市,三星放棄了其定製核心的內部研發,而這似乎也是三星希望在晶片業務上與臺積電展開較量的地方,不過不幸的是,三星可能已經落後於其最大的競爭對手,因為上週臺積電在財報會上宣佈將在投資大約 200 億美元用於 3nm、5nm、7nm 等先進製程的研發。

此前有報道稱,蘋果公司已經向臺積電預定了 iPhone、iPad 和 Mac 的 3nm 晶片訂單,因此三星在開發 3nm 晶片之前就已經失去了一個大客戶。不過三星仍然可以安撫其他的客戶,例如高通和聯發科。此前有訊息稱,三星和高通已經達成 8.5 億美元的交易,以處理驍龍 888 和驍龍 X60 5G 調變解調器的晶片製造。

此前三星計劃在 2030 年之前投資 1150 億美元在晶片研發領域取得領先地位,因此此次計劃在美國修建晶圓廠很可能是處於這一大計劃的初步階段。