三星：正在開發 8 層 TSV 的 DDR5 記憶體模組，容量達 DDR4 兩倍
阿新 • • 發佈：2021-08-23
8 月 22 日訊息在 HotChips 33 大會上，三星確認正在開發具有 8 層 TSV（直通矽通孔）的 DDR5 記憶體模組，是 DDR4 記憶體容量的兩倍。這意味著理論上，512GB 記憶體模組是可能實現的。
通過優化封裝，三星的 DDR5 記憶體模組高度將低於 DDR4 4 層記憶體。由於管芯之間的間隙更小（減少 40%）以及通過實施薄晶圓處理技術，高度的降低成為可能。重要的是，8 層 TSV 模組將提供更好的散熱。
三星預計 DDR5 記憶體將提供比 DDR4 提升 85% 的效能，提供高達 7.2 Gbps 的頻寬，以及高達 512GB 的雙倍容量。同時，新模組將具有更低的 1.1V 電壓，提高電源效率。
瞭解到，三星表示，預計到 2023/2024 年能夠向主流市場提供該 DDR5 記憶體，資料中心市場的產品將更快推出，計劃在今年年底前生產 512GB 記憶體模組。