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比亞迪半導體 6 款“高精尖”功率器件產品亮相

9 月 29 日訊息 從比亞迪獲悉,9 月 25 日-28 日,2021 世界智慧網聯汽車大會在北京舉辦。大會同期舉辦新能源汽車產業發展成果展,比亞迪半導體攜 6 款“高精尖”功率器件產品亮相

展會期間,比亞迪半導體集中展示了 6 款功率器件產品:V-215、V-305(SiC 模組)、V-SSDC(SiC 模組)、V-DUAL1、IGBT 晶圓、FRD 晶圓。

▲ 比亞迪半導體展品 | 圖源:比亞迪

瞭解到,比亞迪本次重點展示了兩款碳化矽功率模組:V-305 (SiC 模組)、V-SSDC (SiC 模組)。比亞迪表示,其中,305 封裝 1200V 840A 規格三相全橋碳化矽功率模組,在新能源汽車高階車型電機驅動控制器中已實現規模化應用,助力漢車型百公里加速達到 3.9s

該 SiC 模組採用奈米銀燒結工藝,AMB 活性金屬釺焊,使用銅夾互連工藝,提升了晶片過電流能力,模組輸出功率可達 200KW。

據介紹,在 SiC 器件領域,比亞迪半導體已實現 SiC 模組在新能源汽車高階車型電機驅動控制器中的規模化應用,其自主研發製造的高效能碳化矽功率模組,是全球首家、國內唯一實現在電機驅動控制器中大批量裝車的 SiC 三相全橋模組。

本次成果展也重點展示了 V-DUAL1 IGBT 模組,其採用自主研發的 IGBT4.0(複合場終止)技術。

2018 年 12 月,比亞迪半導體正式釋出全新車規級“IGBT 4.0”技術。比亞迪資料顯示,搭載比亞迪 IGBT4.0 後,整車百公里電耗能夠降低 0.6kWh。

目前,比亞迪半導體基於高密度 TrenchFS 的 IGBT5.0 技術已實現量產,同時正在佈局新一代 IGBT 技術。

FRD 晶片則在 IGBT 模組中與 IGBT 晶片並聯使用,起反向恢復作用。