10 月 12 日訊息 10 月 12 日，三星對外宣佈已開始量產基於極紫外（EUV）光技術的 14 奈米 DRAM。

繼去年 3 月出貨首款 EUV DRAM 後，現階段將 EUV 的層數增加至五層，將會為 DDR5 提供更優質的解決方案。

三星電子高階副總裁兼 DRAM 產品與技術負責人 Jooyoung Lee 表示：“通過開拓關鍵的圖案化創新技術，我們在近三年的時間裡一直引領著 DRAM 市場。如今，三星正在通過多層 EUV 建立起另一個技術的里程碑，該技術實現了 14 奈米的極致化 —— 這是傳統氟化氬 (ArF) 工藝無法實現的壯舉。在此基礎上，我們將繼續為 5G、AI 和虛擬世界中需要更高效能和更大容量的資料驅動計算，提供最具差異化的記憶體解決方案。”

三星通過在 14 奈米 DRAM 中新增五個 EUV 層，實現了超高的位元密度，同時將整體晶圓的生產率提高了約 20%。此外與上一代 DRAM 相比，14 奈米工藝有助於降低近 20% 的功耗。

根據最新 DDR5 的標準，三星的 14 奈米 DRAM 可帶來 7.2Gbps 的超高速，是前代 DDR4 的 3.2Gbps 最高速度的兩倍多。

瞭解到，同時三星計劃擴充套件其 14 奈米 DDR5 的產品組合，用來支援資料中心、超級計算機和企業伺服器應用。此外，三星預計將其 14 奈米 DRAM 晶片密度增加到 24Gb，以更好地滿足全球 IT 系統快速增長的資料需求。