編輯-Z

二極體US1G是由半導體材料製成的電子器件。US1G具有單向導電性，即當二極體正負極加正向電壓時，二極體導通。當向陽極和陰極施加反向電壓時，二極體截止。因此，US1G二極體的通斷相當於開關的通斷

US1G引數描述

型號：US1G

封裝：SMA

特性：小電流、貼片

電性引數：1A 400V

晶片材質：GPP

正向電流(Io)：1A

正向電壓(VF)：1.3V

浪湧電流Ifsm：30A

漏電流(Ir)：5uA

工作溫度：-55~+150℃

恢復時間(Trr)：50ns

引線數量：2

US1G的伏安特性

當正向電壓施加到US1G二極體，電壓值小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始呈指數增加，通常稱為二極體

US1G的正向特性

當施加正向電壓時，在正向特性開始時，正向電壓很小，不足以克服PN結中電場的阻塞效應，正向電流幾乎為零，該部分稱為死區。這種不能使二極體US1G導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓時，PN結中的電場被克服，二極體導通，電流隨著電壓的增加而迅速上升。在正常使用的電流範圍內，二極體導通時的端電壓幾乎保持不變。該電壓稱為US1G的正向電壓。

US1G的反向特性

當施加的反向電壓不超過一定範圍時，通過US1G的電流是少數載流子漂移運動形成的反向電流。由於反向電流很小，二極體

US1G的擊穿特性

當施加的反向電壓超過一定值時，反向電流會突然增加。這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。二極體在電擊穿期間失去單向導電性。如果二極體沒有因電擊穿而過熱，則單向導電性可能不會被永久破壞。去除外加電壓後，其效能仍可恢復，否則二極體就損壞了。因此，在使用過程中應避免對二極體US1G施加過高的反向電壓。