近日有市場訊息稱，聯電計劃投資約 229 億元人民幣在新加坡建設第二座 12 英寸晶圓廠，月產能至少 2 萬~3 萬片，可能生產 40nm 以下製程的晶片。

據報道，聯電對此迴應稱，新加坡本來就有設廠，在全球有據點的地方持續評估建廠規劃，不過目前還沒有確切地點。

據瞭解，聯電新加坡廠 Fab 12i 位於白沙晶圓科技園區，於 2004 年開始量產，月產能為 5 萬片，製程為 0.13 微米至 40nm，產品涵蓋 FPGA、無線通訊晶片等。

業界人士認為，聯電此次可能採 40nm 以下製程，如 28nm 製程生產晶片。

據悉，晶圓代工產能持續供不應求，聯電 5 月 1 日、7 月 1 日代工報價已漲過兩波。

由於產能不足，聯電計劃擴充在臺南科學園區 Fab 12A P6 廠區產能，將採用 28nm 製程，月產能 2.75 萬片，客戶將以議定價格預先支付訂金，預計新產能將於 2023 年第 2 季度開出。