三極體NPN和PNP開關電路
正文
回到頂部0. 總結
NPN適合做低端驅動，即PN接面在下面（低端），發射極E接地。
PNP適合做高階驅動，即PN接面在上面（高階），發射極E接VCC。
Tips：標箭頭的PN接面，中間的是基極B，外頭是E極。
回到頂部1. 簡述
三極體開關屬於電流控制開關，Ib控制Ic，與MOSFET管電壓控制相反：
NPN和PNP的電流方向、電壓極性相反。
1）NPN :以B→E 電流控制C→E 電流。 正常放大時， 即VC > VB > VE
2）PNP :以E→B 電流控制E→C 電流。 正常放大時， 即VE > VB > VC
總之，VB在中間，VC 和VE 在兩邊。而且BJT各極的電壓與電流方向是一致的，不會出現電流從低電位處流行高電位的情況。
NPN和PNP區別：箭頭所指，即電流流向。如圖：
PNP的反向電流可以使用I/O口直接提供，注意I/O口的最大承受電壓，最好E極電壓等於I/O口的高電平。對於E電壓比較大的情況下可以使用文章最後的電源控制電路。
回到頂部 回到頂部2. NPN，PNP三極體開關形式的典型接法
只有一個上拉下拉電阻的區別。如果是GND~VCC的訊號驅動，左圖即可。如果是強弱電流驅動，選右圖。
NPN適合做低端驅動，PNP適合做高階驅動。類似的NMOS和PMOS也是如此。
因此，為了獲得相應的控制電位差，把NPN的射級對地，你比較容易獲得一個開啟訊號。如果你把NPN的集電極直接接VCC，那麼你就需要VCC甚至VCC以上的訊號才能開啟，驅動起來不方便，更重要的是，隨著負載上電壓的變化，你的IB
說明：大多數的小訊號矽質三極體在飽和時，VCE(飽和)值約為0.2V，縱使是專為開關應用而設計的交換三極體，其VCE(飽和)值頂多也只能低到0.1V左右，而且負載電流一高，VCE(飽和)值還會有些許的上升現象，雖然對大多數的分析計算而言，VCE(飽和)值可以不予考慮，但是，必須明白VCE(飽和)值並非真的是0。