10 月 29 日訊息，據外媒 wccftech 訊息，微星今日在直播中分享了大量英特爾 12 代酷睿處理器的細節，首次曝光了處理器開蓋照片，此外還公佈了 LGA1700 插槽的散熱器扣具適配情況、DDR5 記憶體的發熱實測等。

12 代酷睿處理器採用了全新的 LGA1700 封裝，CPU 基板由正方形變為長方形。從開蓋對比圖可以看出，12 代 CPU 的核心面積有 C0、H0 兩個版本，大小均比 11 代明顯縮小。其中，C0 核心面積為 215.25mm²，H0 核心面積為 162.75mm²。前者適用於 i9 系列處理器，擁有 8 大核 + 8 小核，後者用於入門級別的處理器，僅包含 6 顆大核。

核心面積大幅縮小的原因是，英特爾在 12 代桌面處理器中轉向了 10nm 製程的 Intel 7 工藝，相比此前祖傳的 14nm 製程工藝明顯提高了電晶體密度。

CPU 核心面積的縮小，也帶來了發熱的集中。微星的測試結構表明，兩款處理器核心溫度最高點並不相同，一個位於偏上方，較小的核心發熱點偏左。不過由於晶片和保護蓋採用釺焊工藝緊貼在一起，熱量可以很快匯出。

微星同時製作了示意圖，表示 CPU 散熱器的熱管排列方式，也會對散熱效果產生影響。使用者最好選擇熱管方向與 CPU 核心排列同向的散熱器，並且儘量採用熱管排列較為緊密的型號，以獲得更高的導熱效率。

瞭解到，微星還表示，旗下多款 MPG、MAG 系列一體水冷散熱器均已經適配 LGA1700 介面的處理器，提供加長版扣具。需要注意的是，LGA1700 處理器安裝後的高度也與 LGA1200 不同。

不僅如此，微星還展示了 DDR5 記憶體的紅外熱成像圖。這一代記憶體最重要的特點便是在 PCB 中央配備 PMIC 電源管理電路，為記憶體提供精準穩定的直流電，此外還支援調節電壓。

熱成像圖中可以看到，DDR5 記憶體執行時，PMIC 電路的發熱十分可觀，電源晶片和兩顆電感的溫度比 DRAM 顆粒還要高一些。因此，大多數 DDR5 記憶體需要自帶散熱片。不過微星演示用的記憶體條已經加壓至 1.35V，如果使用者在預設的 1.1V 電壓使用，那麼溫度問題不需要擔心。

微星還提示，由於記憶體供電直接從主機板 + 5V 電源獲取，因此電腦電源 5V 供電的質量將直接影響到記憶體的穩定性以及超頻上限。微星實測資料還顯示，儘管自家的電源 12V 供電波動劇烈，但是其 5V 輸出依舊保持穩定，這確保了記憶體的穩定性。

據瞭解，微星在直播中還對 DDR5 記憶體的價格發表了看法。目前，相同容量的 DDR5 記憶體要比 DDR4 貴 30%-50%，隨著晶片短缺的延續，其價格還可能進一步上漲。不過預計到 2023 年年中，DDR5 記憶體的價格有望降到目前 DDR4 的水平