1 月 18 日訊息，據武漢市人民政府網站，武漢市人民政府辦公廳本月釋出了《關於促進半導體產業創新發展的意見》（以下簡稱《意見》）。

瞭解到，《意見》提出，到 2025 年，武漢全市半導體產業能級明顯提升，產業結構更加合理，裝置、材料、封測配套水平對關鍵領域形成有力支撐。

產業規模方面，到 2025 年，晶片產業產值超過 1200 億元，半導體顯示產業產值超過 1000 億元，第三代半導體產業初具規模。

技術水平方面，到 2025 年，發明專利年均增速超過 15%，建立 3—5 個國家級創新平臺，牽頭制定 2—4 項行業標準，突破一批關鍵核心技術，實現一批關鍵技術轉化和應用。

市場主體方面，到 2025 年，培育形成 5 家銷售收入超過 100 億元的晶片企業、5 家銷售收入超過 100 億元的半導體顯示企業、5 家銷售收入超過 10 億元的半導體裝置與材料企業，半導體企業總數超過 500 家，上市企業新增 3—5 家。

《意見》提出的重點任務和產業佈局如下：

重點任務

（一）瞄準薄弱環節補鏈

1.增強積體電路裝置、材料和封測配套能力。在裝置環節，聚焦三維整合特色工藝，研發刻蝕、沉積和封裝裝置，引入化學機械研磨（CMP）機、離子注入機等國產裝置生產專案；在材料環節，圍繞先進儲存器工藝，開發拋光墊、光刻膠、電子化學品和鍵合材料，佈局化學氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大矽片等材料專案；在封測環節，引進和培育國內外封裝測試領軍企業，突破先進儲存器封裝工藝，推進多晶片模組、晶片級封裝、系統級封裝等先進封裝技術產業化。

2.加快半導體顯示裝置和材料國產化替代。在裝置環節，聚焦有機發光二極體（OLED）中小尺寸面板工藝，研發光學檢測、模組自動化裝置，引入顯示面板噴印、刻蝕機、薄膜製備等國產裝置生產專案；在材料環節，支援液晶玻璃基板生產專案建設，加快 OLED 發光材料、柔性基板材料的研發及產業化，引入濾光片、偏光片、靶材等國產材料生產專案。

3.佈局第三代半導體襯底及外延製備。在裝置環節，支援物理氣相傳輸法（PVT）裝置、金屬有機化合物氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工藝裝置的研發及產業化；在材料環節，引進碳化矽（SiC）襯底、SiC 外延、氮化鎵（GaN）襯底生產線，佈局 GaN 外延晶片產線。

（二）立足現有基礎強鏈

1.打造儲存、光電晶片產業高地。在儲存晶片領域，重點引入控制器晶片和模組開發等產業鏈配套企業，研發超高層數三維快閃記憶體晶片、40 奈米以下程式碼型快閃記憶體、動態隨機存取儲存器、三維相變儲存器、存算一體晶片等先進儲存晶片；在光電晶片領域，支援 25G 以上光收發晶片、50G 以上相干光通訊晶片的研發及產業化，佈局矽基光通訊晶片、高階光感測晶片、大功率鐳射器晶片等高階光電晶片製造專案。

2.建設國內重要半導體顯示產業基地。在顯示面板領域，引進大尺寸 OLED、量子點顯示、亞毫米發光二極體（MiniLED）顯示等面板生產專案，佈局微米級發光二極體（MicroLED）顯示、鐳射顯示、8K 超高清、3D 顯示等未來顯示技術研發及產業化；在顯示模組領域，支援全面屏、柔性屏模組的研發及產業化，加快開發高端面板屏下感測元件及模組，引入光學鏡頭、背光模組等生產專案，逐步提升對中高端面板的產業配套能力。

（三）聚焦熱點領域延鏈

1.通訊射頻晶片。支援 5G 絕緣襯底上矽（SOI）架構射頻晶片、射頻電子設計自動化（EDA）軟體研發；面向 5G 基站、核心網、接入網等基礎設施市場，重點發展基帶晶片、通訊電晶片、濾波器等關鍵晶片。

2.通用邏輯晶片。加快圖形處理器（GPU）、顯控晶片的開發及應用，提升智慧財產權（IP）核對中央處理器（CPU）、人工智慧晶片等邏輯晶片的設計支撐能力，佈局信創領域處理器專案。

3.北斗導航晶片。支援研發北斗三號系統的新一代導航晶片、28 奈米高精度消費類北斗導航定位晶片、新一代多模多頻高精度基帶系統級晶片；面向交通、物流、農業、城市管理等領域開發通導一體化北斗晶片，拓展北斗應用。

4.車規級晶片。推進數字座艙晶片、駕駛輔助晶片、功率器件、汽車感測器等車規級晶片研發及產業化專案；面向新能源汽車，佈局動力系統、主被動安全系統、娛樂資訊系統、車內網路、照明系統車規級晶片產業化專案。

（四）圍繞前沿領域建鏈

1.第三代半導體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等 3 個應用方向，引入碳化矽（SiC）功率電晶體、氮化鎵（GaN）充電模組、GaN 功率放大器、高光效 LED、MiniLED 等器件專案；支援中高壓 SiC 功率模組、GaN 5G 射頻開關、紫外 LED 的研發及產業化，突破 SiC 絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）、毫米波射頻器件、MicroLED 關鍵技術。

2.量子晶片。支援單光子源、鐳射器、探測器等光量子晶片的研發及產業化；佈局量子感測器、量子精密測量器件等生產專案；開展量子通訊、量子成像、量子導航、量子雷達、量子計算晶片共性前沿技術攻關。

產業佈局

（一）打造相對完整的積體電路產業鏈聚集區。重點發展三維整合工藝、先進邏輯工藝，加快推進先進儲存器等重點製造專案建設；重點發展中高階晶片設計、IP 核設計、EDA 軟體等產業，加快推進精簡指令集（RISC—V）產學研基地建設；培育裝備、材料、零部件、封測等產業，加快推進矽基 SOI 半導體材料、光刻材料及電子溶劑、築芯產業園等配套專案建設。

（二）構建差異化半導體顯示產業核心區。重點發展中小尺寸顯示面板、大尺寸顯示面板等產業，加快半導體顯示產業鏈向上下游延伸發展，培育核心裝置、關鍵材料、模組、元器件、顯示終端等產業，推進華星 t4、華星 t5、天馬 G6 二期、京東方 10.5 代線擴產、創維 MiniLED 顯示產業園等專案建設。

（三）建立半導體特色產業區。重點發展光電晶片、第三代化合物半導體等產業，推進紅外感測晶片製造、微機電（MEMS）與感測工業技術研究院等專案建設；培育車規級晶片、工控晶片等產業，推進國家新能源和智慧網聯汽車基地建設；培育顯示晶片、資訊保安晶片等產業，推進國家網路安全人才與創新基地建設；培育人工智慧晶片、通用邏輯晶片等產業，推進國家新一代人工智慧創新發展試驗區建設。