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集邦:2021 年至 2025 年第三代功率半導體年複合增長率達 48%

3 月 10 日,集邦諮詢釋出報告稱,目前最具發展潛力的材料是具備高功率及高頻率特性的寬頻隙(Wide Band Gap,WBG)半導體,包含碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN),主要應用多為電動汽車、快充市場。

據集邦諮詢研究測算,第三代功率半導體產值將從 2021 年的 9.8 億美元,成長至 2025 年的 47.1 億美元,年複合增長率達 48%。

報告稱,目前在各大襯底供應商的開發下,包括 Wolfspeed、II-VI、Qromis 等廠商陸續擴增產能,並將在 2022 年下半年量產 8 英寸襯底,預計第三代功率半導體未來幾年產值仍有增長空間。