1. 根據物理結構上的區別，Nand Flash主要分為：

SLC(Single Level Cell): 單層式存儲

MLC(Multi Level Cell): 多層式存儲

TLC(Triple Level Cell): 三層式存儲

註：SLC在存儲格上只存一位數據（2個狀態），MLC存放兩位數據（4個狀態），TLC存放三位數據（8個狀態）。

2. Nand Flash 地址結構

註：

①Row Address即頁地址，Column Address即頁內偏移

②正常頁內容讀取用Column Address(A0-A10)，共11位，最大索引地址為2^11 = 2048

③OOB區域索引用Column Address(A0- A12)，共12位，可以索引2048後面的地址

3. Nand Flash 信號引腳

①CLE(Command Latch Enable): 命令鎖存允許

②ALE(Address Latch Enable): 地址鎖存允許

③CE: 片選

④RE: 讀允許

⑤WE: 寫允許

⑥WP: 在寫或者擦期間，提供寫保護

⑦R/B: 讀/忙

註：

現代一些SOC都自帶Nand Flash控制器，軟件工程師只需配置一些控制寄存器，然後按照順序填寫命令寄存器、地址寄存器，操作數據寄存器讀寫數據。

4. Nand Flash 命令集

5. ECC校驗

① ECC的全稱是Error Checking and Correction，是一種用於Nand的差錯檢測和修正算法

② 校驗碼生成算法：ECC校驗每次對256字節的數據進行操作，包含列校驗和行校驗

列校驗：

註：CP0~CP5為6個Bit位，表示Column Parity（列極性）

行校驗：

註：RP0~RP15為16個Bit，表示Row Parity(行極性)

綜上，對256字節的數據共生成了6個Bit的列校驗結果，16個Bit的行校驗結果，共22個Bit

Nand Flash 基礎