mos管做開關的一些實際經驗
阿新 • • 發佈：2019-01-08
介紹過一般的電源開關電路，控制電源的目的是省電，控制靜態電流。不過以下的電路存在著幾個缺點：
1.管壓降較大
我們知道採用PNP管子作為開關管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成 1.2V，這會導致由此供電的晶片損壞。
PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實際的值在1歐以內。
2.控制電流
我們知道Ib和Ic是相關的，飽和放大係數一般的設計為30，因此我們通過200mA的電流的時候，Ib=200/30=7mA，這樣導致了控制電路功耗較 大。
3.開關管功耗
我們知道三極體的功耗計算公司為Pd=Veb×Ib+Vec×Ic，Vec飽和時0～0.3V的條件下，當通過電流較大的時候，開關管的功耗就很大。
比較而言，PMOS的導通電阻Rdson較小（也可選擇），P=Rdson×Id^2。
PMOS高壓電路設計（12V）電路
對比PNP電路設計
低壓開關（NMOS）【5V，3.3V，1.5V】
NMOS導通關閉條件：
這裡使用PNP管直接使NMOS的G和Vin導通，這樣NMOS才可以完全導通，要是不能使Vin完全和NMOS的G完全接通，就使用最上面的PMOS的方案，如果接成如下的情況 
結果
1.管壓降較大
我們知道採用PNP管子作為開關管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成 1.2V，這會導致由此供電的晶片損壞。
PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實際的值在1歐以內。
2.控制電流
我們知道Ib和Ic是相關的，飽和放大係數一般的設計為30，因此我們通過200mA的電流的時候，Ib=200/30=7mA，這樣導致了控制電路功耗較 大。
3.開關管功耗
我們知道三極體的功耗計算公司為Pd=Veb×Ib+Vec×Ic，Vec飽和時0～0.3V的條件下，當通過電流較大的時候，開關管的功耗就很大。
比較而言，PMOS的導通電阻Rdson較小（也可選擇），P=Rdson×Id^2。
PMOS高壓電路設計（12V）電路
對比PNP電路設計
低壓開關（NMOS）【5V，3.3V，1.5V】
NMOS導通關閉條件：
這裡使用PNP管直接使NMOS的G和Vin導通，這樣NMOS才可以完全導通，要是不能使Vin完全和NMOS的G完全接通，就使用最上面的PMOS的方案，如果接成如下的情況
結果
當Photo Control為高定平，9014導通，640斷開。當Photo Control為低電平，9014斷開，640導通，可此時640上ds間3~4V的壓降，本意DC=VBAT(8V) ,現在DC只有3點幾伏電壓，原因：
NPN+PMOS才做電源控制，你這是NPN+NMOS，R21直接換成0歐，你去量，肯定就通了，只不過沒有控制啥事了. 還有NMOS的襯底一般做出來的時候是和源極接在一起的，開機NMOS需控制電壓（相對襯底）大於開啟電壓，你這樣接 襯底完全懸空了，現在的電路無論你怎麼控制都達不到你的要求，電路本身設計就錯了，NMOS一般是做低輸出的，PMOS才是高輸出電路，這個性質和三極體的NPN和PNP差不多的.
TTL中用三極體，TTL能驅動MOS，MOS不能驅動TTL