電晶體電路設計學習筆記(一)
一、概述
在概述裡這樣寫,看完我就買了書。然後就是電晶體的放大方式,其實是把電源的電路放大。並不是從輸出端放大的:
電晶體是用基級電流來控制集電極-發射機電流的器件。
而FET則是在輸入端(柵極)的電壓來控制輸出端(漏級)的電流。
二、放大電路的工作原理
2.1 放大電路
使用multisim模擬:
遇到的問題:書上的是2SC2458,而模擬軟體沒有。我是使用了2SC2655,相同的電路會出現失真的情況。
截至失真:正半軸正常放大,負半軸進入截至區。產生失真>>工作點取的太低
飽和失真:正半軸進入飽和區,負半軸正常放大。產生失真>>工作點取的太低高
ie=ic+ib=ic
2.2 放大電路的設計
2.2.1 電路計算
①基極的直流電位Vb②發射級的直流電位Ve
③發射級流動的直流電流Ie
④集電極電壓為電源電壓減去RC的壓降
⑤放大倍數是RC和RE的比值
2.2.2 電路設計流程
①確定電源②選擇電晶體
③確定發射級電流工作點
④確定RC和RE
⑤確定基極電路
⑥去頂耦合電容C1和C2
⑦確定電源去耦電容C3和C4
2.3 放大電路的效能
①輸入阻抗:在訊號源串聯一個Rs、由串聯電阻兩端的振幅Vs與Vi之差來求輸入阻抗的方法。②輸出阻抗:在輸出端串聯一個Rl、由串聯電阻兩端的振幅Vo。然後與無負載時的輸出振幅做比較。
③放大倍數與頻率特性
④高頻截至頻率
⑤高頻電晶體
⑥頻率特性不擴充套件
⑦提高放大倍數
⑧噪聲特性
⑨總諧波失真率
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