據韓國媒體 Businesskorea 報道，三星在晶片先進製程方面趕超臺積電的難度可能增大。臺積電已計劃明年開始生產 2nm 晶片，而三星目前的規劃是明年大規模量產 3nm GAA 晶片，其 2nm 晶片生產計劃尚未提上日程。

三星雖然已經開發出了 2nm 晶片，但尚未敲定投資計劃。三星曾透露：“我們計劃明年製造 3nm GAA 產品，並在 2023 年製造更先進的 3nm GAA 產品。”

今年 5 月，該公司曾宣佈將投資 170 億美元（約 1098 億人民幣）在美國建造能生產 3nm 的晶片代工廠，但目前三星還在考慮其工廠的具體選址。

對比來看，中國臺灣環境影響評估審查委員會在本週三批准了臺積電 2nm 晶片新廠建設。該新廠預計佔地 50 英畝（約 20 公頃），將建在新竹工業園區，計劃在 2024 年實現商業化量產。除了在本地建新廠，臺積電也在考慮明年在美國亞利桑那州建設晶片廠，來生產 3nm 和 4nm 晶片。

一位業內人士稱：“臺積電在 5nm 和 7nm 晶片工藝技術商業化方面已經超過了三星，隨著臺積電生產更多先進製程晶片和提高資本支出，這一差距正在擴大。臺積電還在臺灣建設測試生產設施，以確保一定水平的 2nm 良率。”

英特爾在本週二宣佈將分別在 2024 年和 2025 年達到 Intel 20A 和 Intel 18A 節點。該公司在 3 月曾宣佈重新進入全球晶片代工市場，其精密加工工藝技術當前在 7nm 階段。

韓媒 Businesskorea 認為，三星正陷入夾在臺積電和英特爾之間的兩難困境。

結語：晶片代工持續先進製程之爭

作為晶片代工廠的龍頭，臺積電和三星一直在持續競爭，從 2019 年、2020 年先後快速採用 EUV 光刻技術來突破 7nm 工藝，在 2020 年均實現量產 5nm 晶片，然後都開始計劃量產 3nm 晶片。

為了保持其市場優勢和市場佔有率，晶片代工廠一邊忙著擴增成熟製程工藝的產能，一邊忙著推動先進製程工藝升級和投產，競爭激烈。