據臺媒《經濟日報》5 月 2 日轉引外媒披露，三星在對投資人釋出的最新簡報中透露，旗下 3nm 製程將在未來幾周內開始投產，進度比臺積電更快，力圖彎道超車，正式引爆今年臺積電與三星最先進的製程競爭激戰。

臺積電向來不對競爭對手置評。臺積電先前於法說會上指出，採用 FinFET 架構的 3nm 依原規畫在下半年量產，將是“下個大成長節點”。

業界人士分析，三星雖然宣稱 3nm 邁入量產倒數計時，但從電晶體密度、效能等層面分析，三星的 3nm 與應與臺積電 5nm 家族的 4nm，以及英特爾的 Intel 4 製程相當。

據臺媒《經濟日報》分析，三星以“3nm”為最新制程進度命名，表面上贏了面子，但在電晶體密度、效能等都還是落後臺積電，“實際上還是輸了裡子”。

TechSpot 等外媒報導，三星向投資人簡報表示，正全力準備讓 GAA 架構的 3nm 製程在今年上半年進入投產階段，也就是在未來八週內啟動量產程式，意味 3nm 量產倒數計時。

三星表示，相較於目前旗下 7nm FinFET 架構製程，新的 3nm 製程所生產的晶片，可以在 0.75 伏特以下的低電壓環境工作，使整體耗電量降低 50%，效能提升 30%，晶片體積減少 45%。

分析師指出，三星的 3nm 製程所能達到的電晶體密度，最終可能與英特爾的製程 4 或者臺積電的 nm 米家族當中的 4nm 相當，但是頻寬與漏電控制表現會更好，帶來更優異的效能。

但目前無法得知的最大變數，是三星的 3nm 製程良率能有多好。三星先前全力發展的 4nm 製程就因良率太低，導致主要客戶大幅轉單臺積電。業界傳出，目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭，但未獲三星證實。

另一方面，三星也未透露採用其 3nm 製程的客戶。相較之下，臺積電總裁魏哲家先前已於法說會上透露，旗下 3nm 應用有諸多客戶參與，預計首年相較 5nm 與 7nm，會有更多新的產品設計定案。

業界認為，蘋果、AMD、英偉達、高通、英特爾、聯發科等大廠，都會是臺積電 3nm 量產初期的主要客戶，應用範圍涵蓋高速運算、智慧手機等領域。臺積電強調，3nm 今年下半年量產之後，在 PPA（效能、功耗及面積）及電晶體技術都將領先，且有良好的良率，有信心 3nm 會持續贏得客戶信賴。

另外，臺積電也已著手進行更先進的 2nm 佈局，預期 2024 年風險試產，目標 2025 年量產，看好 2nm 將是業界最領先，且是支援客戶成長最適合的技術。