8 月 26 日訊息半導體制造與先進晶圓級封裝領域裝置供應商，盛美半導體裝置今日釋出了新產品 ——Ultra ECP GIII 電鍍裝置，以支援化合物半導體 (SiC, GaN) 和砷化鎵 (GaAs) 晶圓級封裝。該系列裝置還能將金（Au）鍍到背面深孔工藝中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。Ultra ECP GIII 還配備了全自動平臺，支援 6 英寸平邊和 V 型槽晶圓的批量工藝，同時結合了盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術，可實現最佳效能。

盛美半導體裝置表示:“隨著電動汽車、5G 通訊、RF 和 AI 應用的強勁需求，化合物半導體市場正在蓬勃發展。一直以來，化合物半導體制造工藝的自動化水平有限，並且受到產量的限制。此外，大多數電鍍工藝均採用均勻性較差的垂直式電鍍裝置進行。盛美新研發的 Ultra ECP GIII 水平式電鍍裝置克服了這兩個困難，以滿足化合物半導體不斷提升的產量和先進效能需求。”

盛美的 Ultra ECP GIII 裝置通過兩項技術來實現效能優勢：盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術。第二陽極技術可通過有效調整晶圓級電鍍效能，克服電場分佈差異造成的問題，以實現卓越的均勻性控制。它可以應用於優化晶圓邊緣區域圖形和 V 型槽區域，並實現 3% 以內的電鍍均勻性。

盛美的高速柵板技術可達到更強的攪拌效果，以強化傳質，從而顯著改善深孔工藝中的臺階覆蓋率，同時提升的步驟覆蓋率可降低金薄膜厚度，從而為客戶節約成本。

盛美半導體的 Ultra ECP GIII 已取得來自中國化合物半導體制造商的兩個訂單。第一臺訂單裝置採用第二陽極技術的銅-鎳-錫-鍍銀模組，且整合真空預溼腔體和後道清洗腔體，應用於晶圓級封裝，已於上月交付。第二臺訂單裝置適用於鍍金系統，將於今年下一季度交付客戶端。