10 月 8 日訊息，據國外媒體報道，5nm 晶片製程工藝已順利量產的臺積電和三星電子，都在全力推進 3nm 工藝的量產事宜，以便佔得先機，進而獲得更多的代工訂單。

而韓國媒體最新的報道顯示，三星電子已確保 3nm 製程工藝有穩定的良品率，他們計劃在明年 6 月份開始量產，代工相關的晶片。

從韓國媒體的報道來看，三星電子 3nm 製程工藝計劃在明年 6 月份開始量產，是三星電子方面的一名高管，當地時間週三在已線上方式舉行的三星代工論壇上透露的。

三星電子的 3nm 工藝，並未繼續採用採用鰭式場效應電晶體（FinFET）技術，而是採用全環繞柵極電晶體（GAA）技術。三星方面表示，採用這一工藝代工的晶片，效能較 5nm 將提升 50%，能耗降低 50%。

三星電子方面對 3nm 工藝寄予厚望，多年前就已開始研發事宜。在今年 6 月底，有外媒在報道中表示，三星電子的 3nm 工藝已成功流片，距離量產又更近了一步。

目前在推進 3nm 工藝的另一家，是當前全球最大的晶片代工商臺積電，在近幾個季度的財報分析師電話會議上，臺積電 CEO 魏哲家均透露他們的這一工藝在按計劃推進，計劃今年下半年風險試產，明年大規模量產。