11 月 24 日訊息，眾所周知，由於某些原因，ASML 最先進的 EUV 光刻機無法進入中國內地，甚至一些海外廠商換下來的舊裝置也很難進入內地。

此前路透社援引知情人士的話報道稱，韓國企業 SK 海力士無錫工廠的升級改造計劃遇阻，僅僅是因為阿斯麥的極紫外光刻機無法獲批進入中國大陸，雖然 SK 海力士十分希望通過該裝置提高儲存晶片的生產效率。

據多個外媒報道，SK 海力士 CEO 李錫熙（Seok-hee Lee）對此進行了迴應，並就無錫海力士半導體工廠的相關情況進行了溝通。

22 日上午，李錫熙社長在首爾三成洞 COEX 舉辦的‘第 14 屆半導體日’活動上會見記者時表示：“我們可以通過合作很好地應對。”

他認為，SK 海力士有足夠的時間將 EUV 裝置進口到中國。李錫熙對於引進受限一事表示：正與美方合作，目前進展良好。EUV 光刻技術已經在韓國本土的 DRAM 產線上應用，中國工廠還有充足的時間供斡旋溝通。

當被問及此時是否會影響無錫工廠正常工作時，他表示，“1a DRAM 已於 7 月在總部開始量產”“中國工廠還有很多時間”。

瞭解到，SK 海力士在無錫工廠引進的光刻機將用於製造 10nm DRAM 晶片，也就是第四代記憶體。SK 海力士已經在京畿道利川和無錫的工廠生產此類 DRAM。從去年 7 月開始，SK 海力士還量產了全球首次應用 EUV 的 10nm 級第 4 代（1a）DRAM。

根據此前 TrendForee 統計資料，無錫工廠對全球電子行業至關重要，其生產了 SK 海力士約半數的動態隨機儲存器晶片（DRAM），佔全球總量的 15%。另一家市場分析公司 IDC 稱，僅 2021 年，全球記憶體市場的需求就將增長 19%。