20N20-ASEMI低功耗場效電晶體20A 200V
阿新 • • 發佈:2021-12-20
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20N20-ASEMI低功耗場效電晶體20A 200V
型號:20N20
品牌:ASEMI
封裝:TO-220F
正向電流:20A
反向耐壓:200V
引腳數量:3
晶片個數:1
漏電流:
晶片材質:
封裝尺寸:如圖
特性:低功耗場效電晶體
工作溫度:-55℃~+150℃
MOS場效電晶體
即金屬-氧化物-半導體型場效電晶體,英文縮寫為MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(最高可達1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。根據導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指:當VGS=0時管子是呈截止狀態,加上正確的VGS後,多數載流子被吸引到柵極,從而“增強”了該區域的載流子,形成導電溝道。耗盡型則是指,當VGS=0時即形成溝道,加上正確的VGS時,能使多數載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉向截止。
ASEMI全系列封裝圖