7N80-ASEMI低功耗場效電晶體7A 800V
阿新 • • 發佈:2021-12-08
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7N80-ASEMI低功耗場效電晶體7A 800V
型號:7N80
品牌:ASEMI
封裝:TO-220
電流:7A
電壓:800V
恢復時間:
正向電壓:
引腳數量:3
晶片個數:1
晶片尺寸:
漏電流:10uA
特性:低功耗場效電晶體
工作溫度:-55~+150℃
MOS場效電晶體
即金屬-氧化物-半導體型場效電晶體,英文縮寫為MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(最高可達1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極
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ASEMI半導體廠家-強元芯電子專業經營分離式元器件,主要生產銷售整流橋系列封裝(DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU);整流模組(MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF);汽車整流子(25A