ROM（Read Only Memory）

廣義的ROM包括：

• EEPROM
• FLASH

EEPROM的來歷

• ROM(Read Only Memory) : 只讀儲存器
  • ROM內部的資料是在ROM的製造工序中，在工廠裡用特殊的方法被燒錄進去的，其中的內容只能讀不能改，一旦燒錄進去，使用者只能驗證寫入的資料是否正確，不能再作任何修改。如果發現資料有任何錯誤，則只有捨棄不用，重新訂做一份。ROM是在生產線上生產的，由於成本高，一般只用在大批量應用的場合。
• PROM(Programmable ROM) : 可程式設計只讀儲存器
  • 最初從工廠中製作完成的PROM內部並沒有資料，使用者可以用專用的程式設計器將自己的資料寫入，但是這種機會只有一次，一旦寫入後也無法修改，若是出了錯誤，已寫入的晶片只能報廢。PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且寫入資料的速度比ROM的量產速度要慢，一般只適用於少量需求的場合或是ROM量產前的驗證。
• EPROM(Erasable Programmable ROM) : 可擦除可程式設計只讀儲存器
  • 可重複擦除和寫入，解決了PROM晶片只能寫入一次的弊端。EPROM晶片有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃視窗，透過該視窗，可以看到其內部的積體電路，紫外線透過該孔照射內部晶片就可以擦除其內的資料，完成晶片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的程式設計器，並且往晶片中寫內容時必須要加一定的程式設計電壓（VPP=12~24V，隨不同的晶片型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM晶片。EPROM晶片在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把視窗封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。
• EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) : 電氣可擦除可程式設計只讀儲存器
  • EEPROM的擦除不需要藉助於其它裝置，它是以電子訊號來修改其內容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和程式設計器的束縛。

FLASH

 FLASH儲存器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可程式設計(EEPROM)的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料(NVRAM的優勢)，U盤和TF卡里用的就是這種儲存器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用EEPROM作為它們的儲存裝置，然而近年來Flash全面代替了EEPROM在嵌入式系統中的地位，用作儲存Bootloader以及作業系統或者程式程式碼或者直接當硬碟使用(U盤)。

RAM（Random Access Memory）

 RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。另一種稱為動態RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留資料的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機記憶體用的就是DRAM的。

• SRAM
• DRAM

 DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這裡介紹其中的一種DDR RAM。